٢٣ أبريل ٢٠٢٦ شكّل محطة فاصلة في صناعة أشباه الموصلات في كوريا الجنوبية. أصدرت شركة SK Hynix تقرير أرباح ربع سنوي أعاد رسم توقعات الصناعة: بلغت الإيرادات في الربع الأول ٥٢.٥٨ تريليون وون كوري، بزيادة %198.1 على أساس سنوي؛ وقفز الربح التشغيلي إلى ٣٧.٦١ تريليون وون، بارتفاع مذهل نسبته %405.5؛ وبلغ صافي الربح ٤٠.٣٥ تريليون وون، بزيادة %397.6. جميع المؤشرات الأساسية الثلاثة—الإيرادات، والربح التشغيلي، وصافي الربح—حققت أرقاماً قياسية جديدة. كما أنها المرة الأولى التي يتجاوز فيها مصنع شرائح كوري إيرادات ربع سنوية قدرها ٥٠ تريليون وون.
في الوقت ذاته تقريباً، كانت الشركتان الرئيسيتان الأخريان في صناعة شرائح الذاكرة العالمية—Samsung Electronics وMicron Technology—تعيشان لحظاتهما التاريخية الخاصة. في ٢٦ مايو ٢٠٢٦، ارتفع سهم Micron بنسبة %19.29 في يوم واحد، مما دفع قيمتها السوقية لتتجاوز حاجز التريليون دولار (حوالي ١.٠٢٣ تريليون دولار)، لتصبح ثالث شركة أشباه موصلات في العالم تنضم إلى نادي التريليون دولار. واعتباراً من ٢٨ مايو، بلغ سعر سهم Micron ٩٢٨.٤١ دولار، مع تراجع طفيف في التداولات اللاحقة إلى حوالي ٩٠٤ دولار. في المقابل، عززت Samsung تقدمها على SK Hynix في سوق DRAM، مستحوذة على حصة %38 في الربع الأول من ٢٠٢٦.
المصدر: Google Finance
تجد الشركات الثلاث نفسها الآن في قلب دورة الذاكرة الفائقة المدفوعة بالذكاء الاصطناعي. هذه قصة عن HBM (ذاكرة النطاق الترددي العالي)—وهي بنية DRAM مكدسة رأسياً صُممت للتكامل المباشر مع وحدات معالجة الرسومات (GPU) ومعجلات الذكاء الاصطناعي، وأصبحت اليوم المورد الاستراتيجي الأكثر طلباً في بنية الذكاء الاصطناعي التحتية.
كيف أصبحت HBM محور الصناعة
ليست HBM تقنية جديدة، لكن أهميتها الاستراتيجية تصاعدت بشكل هائل في عصر نماذج الذكاء الاصطناعي الكبيرة. مقارنة بذاكرة DDR أو LPDDR التقليدية، تقوم HBM بتكديس شرائح DRAM رأسياً وربطها عبر موصلات السيليكون، ما يوفر عرض نطاق ترددي أعلى بعدة مرات لكل وحدة مساحة مقارنة بالحلول التقليدية. يتيح ذلك لوحدات معالجة الرسومات معالجة مجموعات بيانات ضخمة مع استهلاك طاقة أقل، مما يؤثر بشكل مباشر على كفاءة تدريب الذكاء الاصطناعي والاستدلال.
لفهم مشهد المنافسة الحالي، من الضروري تتبع جدول زمني واضح لتطور التكنولوجيا وتمايز الاستراتيجيات:
٢٠١٣–٢٠٢٢: النشر المبكر والتباين الاستراتيجي
أطلقت SK Hynix أول منتج HBM في العالم عام ٢٠١٣ واحتفظت بريادتها عبر الأجيال اللاحقة—HBM2، HBM2E، وHBM3. بينما حافظت Samsung طويلاً على الصدارة في الطاقة الإنتاجية والإيرادات العالمية للـDRAM، إلا أنها دخلت قطاع HBM لاحقاً، وبدأت في زيادة استثماراتها فعلياً في عصر HBM3/HBM3E. أما Micron فتجاوزت HBM3 تماماً، وقفزت مباشرة إلى HBM3E باستراتيجية التفوق على المنافسين المتأخرين.
٢٠٢٣–٢٠٢٤: عصر HBM3E يتبلور
مع طفرة الذكاء الاصطناعي التوليدي، ارتفع الطلب على HBM بشكل كبير. أصبحت SK Hynix المورد الأعلى أولوية لـNvidia في HBM3E، حيث قدمت المنتجات أولاً لمنصة Blackwell. ووفقاً لـCounterpoint Research، حافظت SK Hynix على حصة سوقية تزيد عن %50 في HBM من الربع الرابع ٢٠٢٤ حتى الربع الثالث ٢٠٢٥. وفي سبتمبر ٢٠٢٤، أصبحت SK Hynix أول شركة على مستوى العالم تنتج HBM4 بكميات ضخمة، مما عزز ريادتها.
النصف الثاني من ٢٠٢٥ إلى أوائل ٢٠٢٦: احتدام المنافسة في HBM4
في معرض CES في يناير ٢٠٢٦، كشفت Nvidia عن معمارية وحدة معالجة الرسومات الجديدة Vera Rubin. تم اعتماد مواصفات HBM4: عرض واجهة الذاكرة تضاعف من ١٠٢٤ بت إلى ٢٠٤٨ بت، وزادت سعة الشريحة الواحدة إلى ٤٨ جيجابايت (تكديس ١٦ طبقة)، وبلغ عرض النطاق الترددي على مستوى النظام ٢٢ تيرابايت/ثانية—أي نحو ثلاثة أضعاف أنظمة Blackwell المبكرة. وفي GTC ٢٠٢٦ في مارس، عرضت Samsung عينات HBM4E علناً، محققة سرعة ١٦ جيجابت/ثانية لكل دبوس وإجمالي عرض نطاق ٤.٠ تيرابايت/ثانية.
الربع الثاني ٢٠٢٦: عصر التريليون دولار يبدأ
بحلول مايو ٢٠٢٦، تجاوزت أو اقتربت جميع شركات الذاكرة الثلاث من علامة التريليون دولار في القيمة السوقية. تجاوزت SK Hynix تريليون دولار في أواخر مايو، لتصبح ثاني شركة كورية مدرجة تصل إلى هذا الإنجاز. ولحقت بها Micron قريباً. وواصلت Samsung تصدرها في القيمة السوقية في بورصة كوريا.
ثلاثة أبعاد للتموضع التنافسي
الحصة السوقية: هيكل مزدوج بين DRAM وHBM
لفهم ديناميكيات المنافسة بين الشركات الثلاث، من الضروري التمييز بين مستويين من الحصة السوقية: DRAM الإجمالية وقطاع HBM المخصص للذكاء الاصطناعي.
أفادت Counterpoint Research في ٢٧ مايو ٢٠٢٦ أن إيرادات DRAM العالمية للربع الأول من ٢٠٢٦ بلغت ٩٧ مليار دولار—وهو رقم قياسي—بارتفاع %80 على أساس ربعي و%260 على أساس سنوي. توزيع الحصة السوقية:
| المعيار | Samsung | SK Hynix | Micron |
|---|---|---|---|
| الحصة السوقية للـDRAM (الربع الأول ٢٠٢٦) | %38 | %29 | %22 |
| الحصة السوقية للـHBM (توقعات ٢٠٢٦) | ~%28 | ~%50 | ~%22 |
المصادر: حصة DRAM من Counterpoint Research؛ حصة HBM من توقعات TrendForce (SK Hynix ~%50، Samsung ~%28، والباقي لـMicron).
يُلاحظ التباين بين هذين المعيارين: تتصدر Samsung بحصة %38 من سوق DRAM الإجمالي، بينما تهيمن SK Hynix على قطاع HBM عالي القيمة بحصة تقارب %50. يعكس ذلك استراتيجيتين متباينتين: تتبع Samsung استراتيجية التوسع والتغطية الواسعة للمنتجات، بينما تركز SK Hynix مواردها على قطاع ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالي الهامش.
تشير التغيرات الفصلية في الحصة السوقية للـDRAM أيضاً إلى اتجاهات مهمة: ارتفعت حصة Samsung بنقطتين مئويتين (من %36 في الربع الرابع إلى %38 في الربع الأول)، بينما تراجعت حصة SK Hynix بثلاث نقاط (من %32 إلى %29)، ما يدل على توسع Samsung العدواني في الطاقة الإنتاجية.
الأداء المالي: تباين في الربحية
تسلط النتائج المالية للربع الأول من ٢٠٢٦ الضوء على الفوارق الواضحة في ربحية الشركات الثلاث خلال هذه الدورة الفائقة:
SK Hynix: إيرادات ربع سنوية بلغت ٥٢.٥٨ تريليون وون، وربح تشغيلي ٣٧.٦١ تريليون وون، وهامش تشغيلي عند %72، وهامش صافي عند %77. جميع المؤشرات الأساسية سجلت أرقاماً قياسية للشركة. ارتفع متوسط سعر بيع DRAM بنحو %65 على أساس ربعي، وNAND بنحو %75. بلغ هامش الربح الإجمالي وهامش الأرباح قبل الفوائد والضرائب والاستهلاك والإطفاء %79. بلغ صافي الربح غير التشغيلي للربع الأول ١٤ تريليون وون، منها ١.٦ تريليون وون أرباح صافية من فروق العملة و٩.٩ تريليون وون من إعادة تقييم أصول الاستثمار—وهي بنود غير متكررة.
Samsung Electronics: تمتد أعمال Samsung عبر شرائح الذاكرة، والمسابك، والهواتف الذكية، والأجهزة المنزلية وغيرها؛ ولا يتم الإفصاح عن أرباح قطاع التخزين بشكل منفصل. رفعت Nomura السعر المستهدف لسهم Samsung من ٣٤٠,٠٠٠ وون إلى ٥٩٠,٠٠٠ وون في ١٨ مايو، متوقعة أن يشعل الطلب على استدلال الذكاء الاصطناعي دورة ذاكرة جديدة. وبينما يبدي السوق تفاؤلاً كبيراً بشأن قطاع التخزين لدى Samsung، إلا أن تقييم الشركة يتأثر بأداء القطاعات غير المتعلقة بالذاكرة.
Micron Technology: بالنسبة للربع الثالث من السنة المالية ٢٠٢٦ (المنتهي في مايو ٢٠٢٦)، وجهت Micron بإيرادات تقارب ٣٣.٥ مليار دولار، بزيادة تتجاوز %260 على أساس سنوي. وبلغ ربح السهم غير المتوافق مع مبادئ المحاسبة المقبولة عموماً للربع الثاني من السنة المالية ٢٠٢٦ حوالي ٨.٤٢ دولار. تم بيع كامل إنتاج HBM لعام ٢٠٢٦ مسبقاً.
بمقارنة الهوامش: تتصدر SK Hynix بهامش تشغيلي %72. وتتوقع KB Securities أن يبلغ هامش التشغيل السنوي لـSK Hynix في ٢٠٢٦ حوالي %78.1، وهو ما قد يكون الأعلى في صناعة أشباه الموصلات العالمية—متجاوزاً Nvidia وSaudi Aramco.
إطار التقييم: تطور الأسعار المستهدفة ومنطق التسعير
يتغير منطق تقييم هذه الشركات بشكل جذري—من "تسعير دوري" إلى "إعادة تقييم هيكلية". واعتباراً من ٢٨ مايو ٢٠٢٦، إليك ملخص الأسعار المستهدفة من كبار الوسطاء:
| الشركة | الوسيط | السعر المستهدف | المنطق الأساسي |
|---|---|---|---|
| SK Hynix | Nomura (١٧ مايو) | ٤,٠٠٠,٠٠٠ وون | نمو متسارع في الطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي |
| SK Hynix | KB Securities (١٥ مايو) | ٣,٠٠٠,٠٠٠ وون | هامش تشغيلي %78.1 في ٢٠٢٦ |
| SK Hynix | Mirae Asset Securities (٢٧ مايو) | ٣,٨٠٠,٠٠٠ وون | تحسن العائد على حقوق الملكية وإعادة التقييم |
| Micron Technology | UBS (٢٦ مايو) | ١,٦٢٥ دولار | أرباح مضمونة بعقود طويلة الأجل + نموذج تقييم جديد |
المصادر: تقرير Nomura في ١٧ مايو؛ KB Securities في ١٥ مايو؛ Mirae Asset Securities في ٢٧ مايو؛ UBS في ٢٦ مايو.
يعد منطق التسعير لدى Nomura الأكثر جرأة: السعر المستهدف البالغ ٤,٠٠٠,٠٠٠ وون هو قفزة حادة من المستوى السابق ٢,٣٤٠,٠٠٠ وون، استناداً إلى "نمو متسارع" في الطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي. تقوم شركات الحوسبة السحابية بتوقيع عقود طويلة الأجل (LTA)، وتثبيت الأسعار والطاقة الإنتاجية عبر دفعات مقدمة.
أما إعادة تقييم UBS لـMicron فذات أهمية منهجية. فقد تخلى المحلل Akuri عن نموذج التقييم التقليدي القائم على تجزئة الأصول، واعتمد إطار مضاعف الربحية المستقبلي بناءً على أرباح مستقبلية مخصومة. الافتراض الأساسي: حتى في فترات الركود، يمكن لـMicron الحفاظ على ربحية مستقرة، مما يبرر التحول من مضاعفات منخفضة تقليدية إلى مستويات أعلى. وبفضل الأرباح المضمونة عبر عقود LTA، منحت UBS مضاعف ربحية مستقبلي ١٥ مرة، محددة السعر المستهدف عند ١,٦٢٥ دولار.
تحليل المزاج السوقي: أربعة محاور رئيسية للنقاش
وجهات النظر حول عمالقة الذاكرة الثلاثة ليست متفائلة بالإجماع. ينقسم الجدل بين المتفائلين والمتشائمين حول أربعة محاور رئيسية:
المحور ١: الدورة الفائقة قد بدأت مقابل أن الدورية لن تموت أبداً
يرى المتفائلون أن هناك تحولاً هيكلياً في الطلب. تطرح Nomura مفهوم "الآلية الجديدة"، مؤكدة أن النموذج الدوري القديم لم يعد يفسر ديناميكيات العرض والطلب الحالية—فالطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي يسير في مسار نمو متسارع، بينما يقيد العرض دورات بناء المصانع، واختناقات الطباعة الضوئية EUV، وحدود قدرات التغليف المتقدم، مما يجعل التوسع بطيئاً للغاية.
أما Morningstar فتقدم رؤية متحفظة: ارتفعت أسهم SK Hynix بحوالي %88 منذ بداية ٢٠٢٦، وحتى البيانات الفصلية القياسية قد لا تدفع الأسعار لمزيد من الارتفاع. السؤال الرئيسي: هل تم القضاء نهائياً على دورة الازدهار والانكماش في صناعة الذاكرة أم أنها في حالة سبات مؤقت؟ في يوم إعلان أرباح SK Hynix، تراجع السهم فعلياً، ما يعكس أن التوقعات كانت مسعرة مسبقاً.
المحور ٢: ريادة SK Hynix في HBM مقابل عودة Samsung القوية
الرأي السائد أن SK Hynix تتمتع بأفضلية الريادة في HBM. ووفقاً لصحيفة Korea Economic Daily (مارس ٢٠٢٦)، حصلت SK Hynix على حوالي %70 من طلبات HBM4 الأولية من Nvidia Vera Rubin، بينما حصلت Samsung على نحو %30. وتتوقع TrendForce أن تواصل SK Hynix تصدر الإمدادات العالمية من HBM في ٢٠٢٦، بحصة تقارب %50 من الإنتاج.
لكن لا ينبغي الاستهانة بعودة Samsung. ففي مارس ٢٠٢٦، اجتازت Samsung شهادة HBM4 من Nvidia (لسرعات ١٠ جيجابت و١١ جيجابت)، وبدأت شحنات HBM4 في فبراير. ونجحت Samsung في تقليص دورة البحث والتطوير في HBM من نحو عامين إلى أقل من عام، متوافقة مع وتيرة تحديث منتجات Nvidia السنوية. وفي GTC في مارس ٢٠٢٦، عرضت Samsung عينات HBM4E بسرعة ١٦ جيجابت/ثانية لكل دبوس و٤.٠ تيرابايت/ثانية إجمالي عرض نطاق.
المحور ٣: تهميش Micron مقابل فرصة مقيمة بأقل من قيمتها
أشار تقرير واسع الانتشار من Korea Economic Daily (مارس ٢٠٢٦) إلى أن الموردين الوحيدين المدرجين لـHBM4 لمنصة Nvidia Vera Rubin الرائدة هما Samsung وSK Hynix، مع غياب Micron. ومع ذلك، يشير محللو الصناعة إلى أن Micron قد تظل مورداً لـHBM4 لمسرعات الذكاء الاصطناعي من الفئة الأدنى (مثل Rubin CPX)، لذا لم يتم تهميشها بالكامل.
وتقدم UBS وجهة نظر مختلفة: تبدأ قيمة Micron السوقية من مستوى أقل بكثير من نظيراتها الكوريات، وبمجرد أن يتوسع نشاط HBM وتستقر الأرباح، فإن إمكانيات إعادة التقييم لديها أكبر. تم بيع كامل إنتاج Micron من HBM لعام ٢٠٢٦ مسبقاً؛ ومن المتوقع أن ينمو حجم سوق HBM من ٣٥ مليار دولار في ٢٠٢٥ إلى ١٠٠ مليار دولار بحلول ٢٠٢٨، بمعدل نمو سنوي يقارب %40.
المحور ٤: عقود طويلة الأجل تعيد تشكيل التقييم مقابل عودة الدورية
تشير أبحاث UBS إلى أن عقود LTA الجديدة تدوم عادة ٣–٥ سنوات، وتثبت الحجم والسعر مع التزام المشترين بالدفع المسبق ودعم النفقات الرأسمالية. قامت شركات الحوسبة السحابية بتثبيت %60–%70 من شحنات DDR5 للخوادم عبر عقود LTA معززة، وبحلول ٢٠٢٧ ستغطي هذه العقود %20–%30 من شحنات DDR على مستوى الصناعة.
يغير هذا الاتجاه جذرياً طريقة تقييم السوق لشركات الذاكرة. تقليدياً، ينظر إلى شركات الذاكرة كأسهم دورية للغاية—تتضخم الأرباح في الذروة وتنكمش أو تتحول إلى سلبية في فترات الركود. إذا نجحت عقود LTA فعلاً في تسوية الأرباح، فقد تحافظ شركات الذاكرة الكبرى على أرباح مستقرة نسبياً حتى في فترات التراجع، مما يدعم مضاعفات تقييم أعلى.
تحليل أثر الصناعة: تحول هيكلي في قطاع الذاكرة
دورة الذاكرة الفائقة المدفوعة بالذكاء الاصطناعي ليست مجرد طفرة أسعار—بل تعيد تشكيل صناعة شرائح الذاكرة العالمية جوهرياً في أربعة اتجاهات:
تخصيص هيكلي للطاقة الإنتاجية. تمثل شرائح HBM مساحة أكبر بكثير من DRAM التقليدية ذات السعة المكافئة، ما يعني أن كل شريحة HBM تنتج على حساب عدة أضعاف سعتها من إنتاج DRAM العادي. وتشير Counterpoint Research إلى أنه منذ أواخر ٢٠٢٥، سرعت شركات الحوسبة السحابية بناء بنية الذكاء الاصطناعي التحتية، مما أدى إلى ارتفاع الطلب على HBM على حساب طاقة DRAM التقليدية ودفع سوق DRAM بأكمله نحو النقص. ويشير رئيس SEMI China فنغ لي إلى أنه حتى مع إعادة توجيه %70 من الطاقة الجديدة أو القابلة للتعديل إلى HBM من قبل الشركات الثلاث الكبرى، لا تزال فجوة الطاقة الإنتاجية للـHBM عند %50–%60. هذا التأثير الإزاحي هو المفتاح لفهم ارتفاع أسعار الذاكرة بشكل عام.
تعميق العلاقات مع العملاء. على عكس المنتجات الموحدة في الذاكرة التقليدية، تتطور سلاسل توريد HBM إلى شراكات استراتيجية عالية التخصيص. تحالف "One-Team" من SK Hynix مع TSMC، وتزامن دورات البحث والتطوير لدى Samsung مع Nvidia، وعقود LTA بين Micron وشركات الحوسبة السحابية—كلها تمثل ترابطاً تقنياً عميقاً وتثبيتاً تجارياً. تخلق هذه العلاقات حواجز دخول مرتفعة لقطاع HBM، مما يعزز المواقع التنافسية للموردين الحاليين.
تسارع سباق البحث والتطوير. يشير تسريع Samsung لدورات البحث والتطوير في HBM إلى أقل من عام إلى "سباق تسلح" على مستوى الصناعة. يتبنى صانعو شرائح الذكاء الاصطناعي تحديثات سنوية لخطوط المنتجات؛ وموردو HBM غير القادرين على مجاراة هذا الإيقاع معرضون لفقدان الطلبات الرئيسية. يعني هذا التسارع أن كثافة البحث والتطوير ستواصل الارتفاع، وستتسع الفجوة بين الشركات الأكبر والأكثر تقدماً تقنياً.
جهود الصين لتحقيق اختراقات. خارج الثلاثي العالمي، يحقق مصنعو الذاكرة الصينيون تقدماً سريعاً. حققت ChangXin Memory اختراقاً في عملية DRAM بدقة 1β نانومتر، وتنتج DDR5 بكميات ضخمة؛ ونمت إيرادات DRAM للربع الأول من ٢٠٢٦ بأكثر من %700 على أساس سنوي، وارتفعت الحصة السوقية العالمية من %3 إلى %8، لتصبح رابع أكبر مورد DRAM في العالم. ورغم أن الشركات الصينية لا تزال متأخرة عن الكبار الثلاثة في HBM، إلا أن توسع طاقتها الإنتاجية وتقدمها التقني يستحقان المتابعة.
الخلاصة
ضمن السردية الكبرى لدورة الذاكرة الفائقة المدفوعة بالذكاء الاصطناعي، يحتل كل من عمالقة الذاكرة الثلاثة موقعاً تنافسياً مميزاً: بنت SK Hynix أفضلية الريادة والحواجز التقنية في قطاع HBM الأعلى قيمة؛ وتحافظ Samsung على الريادة من حيث الحجم مع أوسع مجموعة منتجات وأكبر قاعدة طاقة إنتاجية؛ أما Micron، فتنطلق من تقييم أقل ومع توقعات إعادة تقييم أكثر جرأة، مقدمة للمستثمرين ملف مخاطرة وعائد مختلف.
في نهاية المطاف، قد لا تتوقف القيمة الاستثمارية على من يفوز بسباق الإمداد لجيل معين من HBM، بل على من يستطيع الحفاظ على التكنولوجيا المتقدمة، وتوسيع الطاقة الإنتاجية بانضباط، وبناء علاقات قوية مع العملاء مع تطور بنية الذكاء الاصطناعي التحتية على المدى الطويل. إن تفاعل هذه القدرات الثلاث هو ما سيحدد في النهاية حدود القيمة لكل شركة.
