Ende April 2026 kam es an der Börse in Taiwan zu einem kollektiven Ausbruch der Speicher- und HBM-Themen: Bei Nanya Tech (2408) gelang der Einstieg in die Lieferkette von NVIDIA Vera Rubin, der Kurs schoss nach oben und das Tageslimit wurde erreicht. In der Folge tauchten in Google Trends für Taiwan Hot-Searchs der Reihe nach auf: „2408“, „High Bandwidth Memory“, „Winbond“? („Nanya“, „2408“), „Ji-Sheng“? („G-SHINE“, „G-SHINE“) und „Winbond“? (jeweils entsprechend der genannten Werte) – wobei „Nanya“ („2408“), „High Bandwidth Memory“, „World Advanced“ („WAC“), „Nanya“ („Nan Ya“) – die Suchanfragen sich kontinuierlich nach oben schoben. Dieser Artikel ordnet die wichtigsten Kern-Treiber des Anstiegs bei HBM/DRAM in dieser Welle sowie die konkreten Vorteilspfade der einzelnen taiwanesischen Unternehmen, damit Leser auf einen Blick die Position in der Lieferkette verstehen.
Kernlogik: KI-Server fressen 66% der globalen DRAM-Kapazität
Dieser Schub kommt von der sprunghaften Nachfrage nach HBM (High Bandwidth Memory) durch KI-Beschleuniger. HBM nutzt gestapelte DRAM-DRAM-Verpackungen, wobei Kapazität pro Chip und Bandbreite weit über herkömmlichem DDR5 liegen. H100/H200/Blackwell/Vera-Rubin-Beschleuniger von NVIDIA sind Standardkonfiguration. Nachdem KI-Server etwa 66% der globalen DRAM-Kapazität absorbieren, gehen DDR5, LPDDR und Nischen-DRAM insgesamt in einen strukturellen Kapazitätsmangel über – das ist auch der grundlegende Grund, warum die Preise für Speicher im Konsumentenbereich trotz Gegenwind steigen.
Nanya Tech (2408): Standard-DRAM, gerade erst in die Vera-Rubin-Lieferkette eingestiegen
Nanya Tech ist auf Standard-DRAM fokussiert. Ende April 2026 wurde bekannt, dass das Unternehmen in die Lieferkette der nächsten Generation der Vera-Rubin-Plattform von NVIDIA aufgenommen wurde – als erstes taiwanesisches Unternehmen. Analysten schätzen, dass das EPS 2026 um das 9-fache auf den Bereich von 21 NT$ steigt und 2027 auf 17 NT$, was die Gewinngarantie- bzw. Überschussspannung widerspiegelt, die durch die Nachfrage in der KI-Kette gezogen wird. Der 10-nm-Fertigungsfortschritt (1B) ist ein Beobachtungspunkt: Ob der Einstieg in den DDR5-Mainstream-Markt gelingt, entscheidet über die künftige Preissetzungsmacht.
Winbond Electronics (2344): Nischen-DRAM + Edge-AI LPDDR
Winbond setzt bei der Produktstruktur vor allem auf Nischen-Speicher (Specialty DRAM) und NOR Flash und bedient vor allem den Automobil-, Industrie- und IoT-Bereich. In dieser Welle profitieren sie insbesondere durch die Forderung von KI-PCs und KI-Mobiltelefonen nach leistungsstarkem, energiesparendem LPDDR; Winbond verbessert damit seine Durchdringung bei Edge-AI-Geräten. Der Markt sieht das Unternehmen als eine „Sekundär-Wette, die nicht direkt HBM frisst, aber durch Verdrängungseffekte aufgestützt wird“.
Modulhersteller: Adata (3260), Transcend (4967), sowie „創見“, „宇瞻“
Die Speicher-Modulhersteller haben einen sehr hohen Anteil an High-End-Anwendungen in Gaming, Servern und Unternehmensspeicher. Nachdem die Originalhersteller (Nanya Tech, Micron, SK hynix, Samsung) ihre Kapazitäten zuerst auf HBM umstellen, steigt für die Modulhersteller der Kostendruck für normale DRAM-Chips. Gleichzeitig schlägt sich der Anstieg auf der Verkaufspreisseite in schnelleren Preiserhöhungen nieder und die Bruttomarge weitet sich aus. Adata und Transcend steigern in dieser Quartalsperiode weiterhin ihren Anteil am Umsatz bei High-End-Gaming-Modulen.
Upstream bei Siliziumwafern: GlobalWafers (中美晶), G-Silicon (合晶)
HBM und DRAM-Wachstum erfordern beide 12-Zoll-Siliziumwafer. Nachdem Nanya Tech in die Vera-Rubin-Lieferkette von NVIDIA aufgenommen wurde, profitieren GlobalWafers (5483) und G-Silicon (6182) als Siliziumwafer-Lieferanten synchron. Das Besondere dieser Kette ist „Capex-Start → Wafer-Nachfrage steigt → Kapazität wird knapp“. In diesem Quartal heizt sich die operative Dynamik von G-Silicon deutlich sichtbar auf.
Beobachtungspunkte auf Seiten von SK hynix und Samsung
Unter den drei großen koreanischen DRAM-Herstellern ist SK hynix wegen seiner führenden Position bei HBM ein wichtiger Faktor: In 2026 wird es jedem Mitarbeiter etwa 3.000.000 TWD Bonus auszahlen, was die Stärke seines KI-„Cashflows“ widerspiegelt. Im Vergleich dazu wurde diesen Monat erneut von einem Werksstreik bei Samsung berichtet (Google Trends 4/27 zeigt „三星罷工“ als Suchtrend). Die Arbeitskräfte-Dynamik in den beiden koreanischen Firmen wird den globalen Zeitplan für HBM und DDR5 direkt beeinflussen und indirekt den Spielraum erhöhen, den taiwanesische Firmen als Ersatz (Capacity-Compensation) nutzen können.
Kein Blasenphänomen: Konjunkturzyklus und KI-strukturelle Nachfrage existieren parallel
Speicher ist seinem Wesen nach weiterhin eine stark zyklische Aktie, aber der Unterschied zu 2017 und 2021 in dieser Welle liegt darin, dass „KI-strukturelle Nachfrage“ und „DRAM-Verdrängungseffekte“ gleichzeitig auf zwei Achsen wirken. Der nächste Beobachtungspunkt sind die Q1-26-Finanzberichte von SK hynix, Micron und Samsung (Ende/Anfang Mai werden sie nach und nach veröffentlicht), sowie ob der tatsächliche Ramp-up-Zeitplan von NVIDIA Vera Rubin bis zur ersten Hälfte 2027 fortgesetzt wird. Für taiwanesische Unternehmen gilt: Die anhaltende Hitze in dieser Phase wird mindestens bis zu den Quartalszahlen des dritten Quartals eine klare Bestätigung bzw. ein Rückzugs-/Korrektursignal liefern.
Diese Artikelanalyse zum großen HBM-Chain-Boom: Nanya Tech, Winbond, Transcend, Adata, GlobalWafers entschlüsselt die gesamte Dynamik erschien zuerst bei „鏈新聞 ABMedia“.
