Au 30 juin 2026, Roundhill indique officiellement Micron, Samsung, SK Hynix, SanDisk et Kioxia comme principales expositions de son portefeuille. Les documents publics révèlent que Samsung Electronics, Micron et SK Hynix représentent chacun près ou plus d’un quart du portefeuille, faisant d’eux les acteurs majeurs de la performance du DRAM ETF.
Ces entreprises ne proposent pas des produits identiques. Micron, Samsung et SK Hynix se concentrent principalement sur la DRAM, la HBM et la NAND, tandis que SanDisk et Kioxia se spécialisent dans la NAND flash, les SSD d’entreprise et le stockage de grande capacité. Cette diversification permet au fonds de couvrir à la fois le traitement des données pour l’IA et la conservation des données à long terme.
Quelles entreprises sont principalement couvertes par les avoirs du DRAM ETF
Les avoirs du DRAM ETF sont concentrés parmi les principaux fabricants mondiaux de stockage, sans couvrir l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement des semi-conducteurs. Selon le prospectus du fonds, les sociétés éligibles doivent généralement générer au moins 50 % de leur chiffre d’affaires ou de leur bénéfice du HBM, de la DRAM, de la NAND, des SSD basés sur la NAND, du NOR, des HDD ou d’activités de stockage spécialisées et embarquées.
Roundhill exige également que les entreprises sélectionnées disposent d’une capitalisation boursière minimale de 10 milliards de dollars et d’un volume moyen quotidien d’échanges d’au moins 5 millions de dollars. Ces critères garantissent une pondération vers les grands groupes mondiaux du stockage bénéficiant d’une forte liquidité.
Au 30 juin 2026, les principales expositions officiellement déclarées sont les suivantes. Les avoirs et pondérations du portefeuille peuvent évoluer en raison de la gestion active, des variations du prix du marché et du rééquilibrage trimestriel, et ne doivent pas être considérés comme fixes.
| Entreprise clé |
Spécialisation principale en stockage |
Rôle dans le portefeuille |
| Samsung Electronics |
HBM, DRAM, NAND, SSD d’entreprise |
Exposition leader mondiale diversifiée au stockage |
| Micron Technology |
HBM, DRAM, NAND, SSD pour data center |
Exposition pure-player US au stockage |
| SK Hynix |
HBM, DRAM, NAND |
Exposition ciblée sur la mémoire haut débit IA et serveur |
| SanDisk |
NAND, SSD entreprise & grand public |
Extension sur la mémoire flash et le stockage de grande capacité |
| Kioxia Holdings |
NAND, BiCS FLASH, SSD d’entreprise |
Exposition japonaise sur la flash et le stockage IA |
La répartition du portefeuille ne repose pas sur une égalisation simple. Le DRAM ETF applique une méthodologie de pondération modifiée basée sur la capitalisation boursière, intégrant la part de marché du stockage et la proportion de revenus issus du stockage, de sorte que les groupes de plus grande taille et à forte concentration dans le secteur obtiennent généralement une pondération supérieure.
Rôle de Micron dans le DRAM ETF
Micron occupe le statut de premier acteur américain coté dans le secteur du stockage et de la mémoire multi-produits au sein du DRAM ETF. Son offre couvre la HBM, la DRAM traditionnelle, la NAND et le stockage pour data centers, lui permettant de répondre aux besoins en mémoire des accélérateurs IA, des serveurs et du stockage longue durée.
Dans l’infrastructure IA, les produits HBM de Micron servent principalement à fournir un débit de données soutenu et élevé aux GPU et autres accélérateurs. L’entreprise propose également DDR, LPDDR, NAND et SSD pour data centers, de sorte que son activité ne dépend pas uniquement de la HBM, mais soutient plusieurs niveaux de la chaîne de traitement des données IA.
Micron est aussi un composant central du DRAM ETF, accessible directement via les marchés d’actions américains. Contrairement à Samsung et SK Hynix, principalement cotés en Asie, Micron permet au fonds une exposition directe en USD et sur le marché américain, ce qui contribue à l’équilibre global du portefeuille.
Selon les données Roundhill du 30 juin 2026, la pondération de Micron est d’environ 24,82 %, ce qui le classe parmi les trois principaux avoirs du fonds. Ainsi, le cours de l’action et la performance opérationnelle de Micron peuvent avoir un impact significatif sur la valeur liquidative et le prix du marché du DRAM ETF.
Samsung Electronics et SK Hynix constituent les principaux accès du DRAM ETF à l’industrie coréenne de la mémoire. Les deux entreprises proposent DRAM, HBM et NAND, mais Samsung présente un portefeuille d’activités plus diversifié, tandis que SK Hynix se concentre davantage sur les semi-conducteurs mémoire, ce qui engendre des sensibilités différentes au cycle du stockage.
Dans le DRAM ETF, Samsung Electronics offre une exposition large à l’industrie de la mémoire. Son offre comprend la DRAM serveur, la HBM, la NAND et les SSD d’entreprise, et en 2026, elle fait progresser la commercialisation de la HBM4 et le déploiement de la HBM4E, positionnant ses avoirs pour répondre à la demande en mémoire IA avancée et traditionnelle.
SK Hynix fournit une exposition très ciblée sur la HBM et la DRAM. L’entreprise se positionne comme fournisseur de DRAM et de NAND, élargissant continuellement ses gammes HBM, IA-DRAM et IA-NAND, ce qui lie sa performance à celle des serveurs IA, du calcul haute performance et des cycles de prix du stockage.
| Critère de comparaison |
Samsung Electronics |
SK Hynix |
| Principaux produits mémoire |
HBM, DRAM, NAND, SSD |
HBM, DRAM, NAND |
| Portée des activités |
Semi-conducteurs, électronique grand public, écrans, etc. |
Focalisation sur les semi-conducteurs mémoire |
| Rôle dans l’industrie IA |
Large couverture HBM, mémoire serveur, NAND |
Sensibilité accrue à la demande HBM & mémoire IA |
| Valeur pour le fonds |
Exposition technologique globale large |
Exposition pure au secteur du stockage |
| Variables d’impact clés |
Facteurs stockage & hors stockage |
Montée en puissance HBM, cycles DRAM/NAND, capacité |
| Attribut régional |
Coté en Corée |
Coté en Corée |
Au 30 juin 2026, Roundhill indique une pondération de 25,55 % pour Samsung Electronics et de 23,60 % pour SK Hynix. Ensemble, ils représentent une part importante du fonds, de sorte que la dynamique du marché coréen, les taux de change du KRW et les horaires de négociation locaux peuvent également influencer la valorisation et le prix du DRAM ETF.
Kioxia et SanDisk offrent au DRAM ETF une exposition ciblée à la NAND flash et aux SSD d’entreprise. Contrairement à Micron, Samsung et SK Hynix, qui couvrent HBM et DRAM, ces deux sociétés se concentrent davantage sur le stockage non volatil, ajoutant une couverture pour la conservation des données à long terme, les SSD pour data centers et la mémoire flash de grande capacité.
Kioxia se spécialise dans la mémoire flash et les SSD, avec un fort accent sur la BiCS FLASH et d’autres technologies NAND 3D. L’entreprise cible les marchés du stockage pour data centers et entreprises, développant des SSD à haut débit, haut IOPS et grande capacité pour accompagner l’inférence IA et le traitement de données d’entreprise.
SanDisk répond au cycle de données IA via ses SSD d’entreprise, ses plateformes NAND et ses produits NVMe de grande capacité. Ses solutions de stockage entreprise couvrent la collecte de données, l’entraînement de modèles, la sauvegarde intermédiaire et le stockage des données d’inférence, offrant au fonds une exposition au stockage persistant distincte de la HBM à court terme.
Kioxia et SanDisk collaborent aussi sur la technologie flash 3D et la fabrication. Ils développent ensemble la prochaine génération de NAND et lanceront la production de flash 3D avancée en 2026. Ainsi, bien qu’elles soient détenues séparément, leurs capacités technologiques et leur chaîne d’approvisionnement sont interconnectées.
Le DRAM ETF obtient une exposition transnationale à l’industrie de la mémoire en combinant des sociétés américaines, coréennes et japonaises. Micron représente les États-Unis, Samsung et SK Hynix offrent une exposition coréenne à la HBM et à la DRAM, et Kioxia et SanDisk renforcent la chaîne d’approvisionnement mondiale et japonaise de la NAND et des SSD.
Cette répartition géographique réduit la dépendance à un seul pays ou marché, mais ne garantit pas une forte diversification. Le prospectus du fonds précise que le DRAM ETF est un fonds non diversifié, soulignant que le portefeuille sera fortement exposé aux émetteurs asiatiques et coréens, de sorte qu’un nombre limité d’entreprises, de pays ou d’événements sectoriels peut encore impacter significativement le fonds.
La diversification du fonds s’exprime principalement dans la variété des produits et des places de cotation, et non dans le nombre de composants. Les avoirs principaux se répartissent ainsi :
- HBM et DRAM avancée : SK Hynix, Samsung, Micron
- DRAM serveur traditionnelle : Micron, Samsung, SK Hynix
- NAND et SSD d’entreprise : Kioxia, SanDisk, Samsung, Micron
- Technologie diversifiée : Samsung Electronics
- Stockage coté aux États-Unis : Micron, SanDisk
Cette structure permet au DRAM ETF de couvrir la mémoire pour accélérateurs IA, la mémoire système serveur et le stockage à long terme. Toutefois, en raison de la forte concentration sectorielle, les trois principaux groupes peuvent toujours représenter la majorité du poids du portefeuille.
Impact des ajustements de portefeuille et du rééquilibrage trimestriel sur le DRAM ETF
Les ajustements de portefeuille et le rééquilibrage trimestriel déterminent la manière dont le DRAM ETF réalloue ses expositions au fil de l’évolution du secteur. Le gestionnaire du fonds applique une méthodologie propriétaire pour ajuster le portefeuille au moins chaque trimestre, recalculant les pondérations en fonction de la capitalisation boursière modifiée, de la part de marché du stockage et de la proportion des revenus issus du stockage.
La pondération d’une entreprise individuelle est généralement plafonnée à 25 %, mais les mouvements de marché peuvent temporairement faire dépasser ou diminuer ce seuil entre deux dates de rééquilibrage. Les avoirs publiés par Roundhill agrègent également les positions directes en actions et les expositions issues de total return swaps, de sorte que les pondérations divulguées peuvent différer des parts réellement détenues.
Le rééquilibrage peut modifier la structure du fonds de trois façons : (1) si la capitalisation boursière ou la part de marché du stockage d’une entreprise augmente, sa pondération cible peut croître ; (2) si la proportion des revenus du stockage diminue ou si les critères d’éligibilité ne sont plus remplis, la position peut être réduite ; (3) de nouvelles sociétés de stockage cotées ou plus liquides peuvent être ajoutées au portefeuille.
La gestion active permet au fonds de s’adapter aux évolutions des secteurs HBM, DRAM et NAND, mais introduit aussi un risque lié au jugement du gestionnaire. Si ce dernier évalue mal les cycles produits, la compétitivité des sociétés ou les allocations, le DRAM ETF peut sous-performer d’autres indices du stockage ou des semi-conducteurs plus larges.
Résumé
Les avoirs principaux du DRAM ETF regroupent les leaders mondiaux du stockage : Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk et Kioxia. Les trois premiers offrent une exposition majeure à la HBM, à la DRAM et à la NAND, tandis que les deux derniers complètent avec la mémoire flash et les SSD d’entreprise, permettant au fonds de couvrir l’ensemble du spectre, de la mémoire pour accélérateurs IA au stockage longue durée.
Le fonds gère ses avoirs via une sélection active, une pondération modifiée par la capitalisation boursière et un rééquilibrage trimestriel, établissant son exposition par actions directes, certificats de dépôt et total return swaps. Bien que le portefeuille couvre les États-Unis, la Corée et le Japon, il reste concentré sur quelques grands fabricants de stockage, de sorte que la performance des entreprises clés a un impact significatif sur le DRAM ETF.
FAQ
Quelles entreprises constituent actuellement les principaux avoirs du DRAM ETF ?
Au 30 juin 2026, les principales expositions sont Samsung Electronics, Micron, SK Hynix, SanDisk et Kioxia. Les avoirs et pondérations réels sont susceptibles d’être ajustés en continu.
Quels sont les trois plus grands avoirs du DRAM ETF ?
Les informations officielles montrent que Samsung Electronics, Micron et SK Hynix sont les trois principaux composants, représentant ensemble la majorité de l’exposition du fonds à la HBM, la DRAM et la NAND.
Pourquoi Micron détient-il une forte pondération dans le DRAM ETF ?
Micron couvre la HBM, la DRAM, la NAND et les SSD pour data centers, et est un leader du stockage coté aux États-Unis, ce qui se traduit par une forte concentration d’activité et de liquidité.
Pourquoi Samsung Electronics est-il un avoir central du DRAM ETF ?
Samsung Electronics exploite des activités dans la HBM, la DRAM serveur, la NAND et les SSD d’entreprise, offrant au fonds une exposition complète à plusieurs segments du stockage.
Quel est le rôle de Kioxia et SanDisk dans le fonds ?
Kioxia et SanDisk offrent principalement une exposition à la NAND, à la mémoire flash et aux SSD d’entreprise, complétant les activités HBM et DRAM de Micron, Samsung et SK Hynix.
À quelle fréquence le DRAM ETF rééquilibre-t-il ses avoirs ?
Le DRAM ETF procède à un rééquilibrage au moins trimestriel, le gestionnaire ajustant les pondérations du portefeuille en fonction de la capitalisation boursière, de la part du secteur stockage, de la part de marché et de la liquidité.
