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Le rendement du HBM4E de Samsung dépasse 70 %, le processus DRAM de nouvelle génération D1d vise l'approbation de préparation à la production en novembre.

AirdropBlackHole
Le 1er juillet, Samsung Electronics a annoncé des progrès dans le développement de la HBM4E (septième génération) et de la DRAM de nouvelle génération après avoir été le premier au monde à produire en masse la HBM4 (sixième génération). Song Jae-hyuk, CTO de la division DS de Samsung et chef de l'Institut de recherche sur les semi-conducteurs, a déclaré lors d'une réunion interne de mise à jour des activités le 30 juin que le rendement des tests de fiabilité de la HBM4E avait dépassé les 70 %. L'industrie considère généralement qu'un rendement supérieur à 80 % indique une phase de 'rendement mature' stable ; ainsi, un rendement supérieur à 70 % est considéré comme un signe que le développement entre dans une plage stable. Samsung a commencé la production en série de la HBM4 en février de cette année et a publié publiquement les spécifications techniques détaillées des produits à 12 couches de la HBM4E le 29 mai, expédiant des échantillons aux clients clés. La HBM4 sera utilisée dans l'accélérateur IA Vera Rubin de NVIDIA, dont le lancement est prévu au second semestre de cette année, tandis que la HBM4E devrait être utilisée dans le prochain accélérateur IA de NVIDIA, Vera Rubin Ultra, prévu pour l'année prochaine. Le développement du processus DRAM de nouvelle génération de Samsung se déroule également sans problème. Song Jae-hyuk estime que la technologie de processus D1d présente des avantages concurrentiels par rapport aux rivaux et vise à obtenir l'approbation de préparation à la production d'ici novembre. Le D1d est le processus DRAM central que Samsung prévoit d'appliquer à partir de la prochaine HBM5 (huitième génération), et si le développement se déroule comme prévu, cela aura un impact positif sur la compétitivité de la DRAM de nouvelle génération et des produits HBM5 suivants. (Fnnews)
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