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サムスンHBM4Eの歩留まりが70%を超え、次世代DRAMプロセスD1dは11月の生産準備承認を目指す
AirdropBlackHole
2026-07-01 06:51:55
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7月1日、サムスン電子は世界初となるHBM4（第6世代）の量産開始に続き、HBM4E（第7世代）および次世代DRAMの開発進捗を発表した。サムスンDS部門CTO兼半導体研究所長のソン・ジェヒョク氏は、6月30日の社内業績報告会で、HBM4Eの信頼性テスト歩留まりが70%を超えたと述べた。業界では一般的に歩留まり80%以上を安定した「成熟歩留まり」段階とみなしており、70%超は開発が安定域に入った兆候とされる。サムスンは今年2月にHBM4の量産を開始し、5月29日にはHBM4Eの12層製品の詳細な技術仕様を公開、主要顧客にサンプルを出荷した。HBM4は今年下半期に発売予定のNVIDIAのAIアクセラレータ「Vera Rubin」に、HBM4Eは来年発売予定のNVIDIAの次世代AIアクセラレータ「Vera Rubin Ultra」に搭載される見通し。サムスンの次世代DRAMプロセス開発も順調に進んでいる。ソン・ジェヒョク氏はD1dプロセス技術が競合他社に対して競争優位性を持つと考え、11月までに生産準備承認を達成する目標を掲げている。D1dはサムスンが次世代HBM5（第8世代）から適用を計画する中核DRAMプロセスであり、計画通りに開発が進めば、次世代DRAMおよびその後のHBM5製品の競争力にプラスの影響を与えるだろう。（Fnnews）
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