По состоянию на 30 июня 2026 года Roundhill официально включает в портфель Micron, Samsung, SK Hynix, SanDisk и Kioxia как основные направления экспозиции. Согласно публичной отчетности, доля Samsung Electronics, Micron и SK Hynix в структуре фонда составляет около четверти или больше, что делает эти компании ключевыми драйверами доходности DRAM ETF.
Компании предлагают разные решения. Micron, Samsung и SK Hynix ориентированы на DRAM, HBM и NAND, а SanDisk и Kioxia — на NAND flash, корпоративные SSD и системы хранения высокой емкости. Благодаря такой структуре фонд охватывает сегменты обработки данных ИИ и долгосрочного хранения информации.

Активы DRAM ETF сконцентрированы среди ведущих мировых производителей систем хранения, а не по всей цепочке поставок полупроводников. Согласно проспекту фонда, в состав могут входить компании, получающие не менее 50% выручки или прибыли от HBM, DRAM, NAND, SSD на базе NAND, NOR, HDD или специализированных и встроенных решений хранения.
Roundhill также требует, чтобы выбранные компании имели капитализацию от 10 млрд $ и средний дневной оборот не менее 5 млн $. Эти условия обеспечивают портфель крупными международными компаниями с высокой ликвидностью.
На 30 июня 2026 года официально раскрытые основные активы таковы. Состав и веса могут меняться из-за активного управления, рыночных колебаний и квартального ребалансирования, поэтому не являются постоянными.
| Ключевая компания | Основное направление хранения | Роль в портфеле |
|---|---|---|
| Samsung Electronics | HBM, DRAM, NAND, корпоративные SSD | Широкое глобальное покрытие лидера рынка хранения |
| Micron Technology | HBM, DRAM, NAND, SSD для дата-центров | Чистое американское хранение, представленное на бирже США |
| SK Hynix | HBM, DRAM, NAND | Фокус на ИИ, память с высокой пропускной способностью |
| SanDisk | NAND, корпоративные и потребительские SSD | Расширяет охват flash-памяти и хранения большой емкости |
| Kioxia Holdings | NAND, BiCS FLASH, корпоративные SSD | Японская flash-память и ИИ-хранение |
Портфель DRAM ETF не равновесный. Фонд использует модифицированную методику взвешивания по капитализации, учитывая рыночную долю и долю выручки от хранения, поэтому компании с большим масштабом и концентрацией бизнеса на хранении получают больший вес.
Micron — ведущая американская компания сектора хранения и многопродуктовый поставщик памяти в DRAM ETF. В портфель входят HBM, традиционная DRAM, NAND и решения для дата-центров, что позволяет покрывать память для ИИ-ускорителей, серверов и долгосрочное хранение.
В инфраструктуре ИИ HBM-продукты Micron обеспечивают стабильную высокую пропускную способность данных для GPU и других ускорителей. Компания также выпускает DDR, LPDDR, NAND и SSD для дата-центров, поэтому бизнес поддерживает несколько уровней ИИ-цепочки данных.
Micron — основной компонент DRAM ETF, доступный на американском рынке. В отличие от Samsung и SK Hynix, которые торгуются преимущественно в Азии, Micron обеспечивает фонду прямую экспозицию в долларах США, поддерживая глобальный баланс портфеля.
По данным Roundhill на 30 июня 2026 года, вес Micron составляет около 24,82%, входя в тройку крупнейших активов фонда. Поэтому стоимость акций и операционные результаты Micron могут существенно влиять на NAV и рыночную цену DRAM ETF.
Samsung Electronics и SK Hynix — основные каналы DRAM ETF к корейской индустрии памяти. Обе компании производят DRAM, HBM и NAND, однако бизнес Samsung более диверсифицирован, а SK Hynix сфокусирован на полупроводниках памяти, что определяет разную чувствительность к рыночным циклам хранения.
В DRAM ETF Samsung Electronics обеспечивает широкий охват отрасли памяти. Компания предлагает серверную DRAM, HBM, NAND и корпоративные SSD, а в 2026 году выводит на рынок HBM4 и HBM4E, что отражает спрос на традиционную и передовую ИИ-память.
SK Hynix обеспечивает точечный доступ к HBM и DRAM. Компания позиционирует себя как поставщик DRAM и NAND, постоянно расширяя линейки HBM, AI-DRAM и AI-NAND, поэтому ее результаты тесно связаны с ИИ-серверами, высокопроизводительными вычислениями и ценовыми циклами.
| Показатель сравнения | Samsung Electronics | SK Hynix |
|---|---|---|
| Основные продукты | HBM, DRAM, NAND, SSD | HBM, DRAM, NAND |
| Масштаб бизнеса | Полупроводники, электроника, дисплеи и др. | Фокус на полупроводниках хранения |
| Роль в ИИ | Широкий охват HBM, серверной памяти, NAND | Высокая чувствительность к HBM и ИИ-памяти |
| Значимость для фонда | Комплексное покрытие крупных технокомпаний | Чистая экспозиция на сектор хранения |
| Ключевые факторы | Драйверы бизнеса хранения и вне хранения | Рост HBM, циклы DRAM/NAND, емкость |
| Региональный статус | Листинг в Корее | Листинг в Корее |
На 30 июня 2026 года вес Samsung Electronics составляет 25,55%, а SK Hynix — 23,60%. В совокупности они занимают значительную долю фонда, поэтому динамика корейского рынка, курс KRW и локальные торговые часы также влияют на стоимость и торги DRAM ETF.
Kioxia и SanDisk предоставляют DRAM ETF целевой доступ к NAND flash и корпоративным SSD. В отличие от Micron, Samsung и SK Hynix, которые охватывают HBM и DRAM, эти компании сосредоточены на энергонезависимой памяти, что расширяет охват долгосрочного хранения, SSD для дата-центров и flash высокой емкости.
Kioxia специализируется на flash-памяти и SSD, уделяя особое внимание BiCS FLASH и технологиям 3D NAND. Компания ориентируется на рынки хранения для дата-центров и корпоративных клиентов, развивая SSD с высокой пропускной способностью, IOPS и емкостью для поддержки ИИ-инференса и корпоративной обработки данных.
SanDisk охватывает ИИ-цикл данных через корпоративные SSD, NAND-платформы и NVMe высокой емкости. Корпоративные решения включают сбор данных, обучение моделей, контрольные точки и хранение данных для инференса, предоставляя фонду постоянное хранение, отличное от краткосрочного HBM.
Kioxia и SanDisk сотрудничают в области 3D flash и производства. Они совместно разрабатывают новое поколение NAND и начинают выпускать передовую 3D flash в 2026 году. Таким образом, несмотря на независимость активов, их технологические и производственные возможности связаны.
DRAM ETF охватывает мировой рынок памяти, объединяя компании США, Кореи и Японии. Micron представляет США, Samsung и SK Hynix обеспечивают корейский сегмент HBM и DRAM, а Kioxia и SanDisk усиливают японскую и глобальную цепочку NAND и SSD.
Такое распределение снижает зависимость от одной страны или рынка, но не гарантирует высокой диверсификации. Проспект фонда прямо указывает, что DRAM ETF не диверсифицирован, и портфель будет существенно сконцентрирован на азиатских и корейских эмитентах, поэтому отдельные компании, страны или события могут сильно влиять на фонд.
Диверсификация отражается прежде всего по типам продуктов и площадкам листинга, а не по количеству компонентов. Ключевые активы распределяются так:
Эта структура позволяет DRAM ETF охватывать память для ИИ-ускорителей, серверов и долгосрочного хранения. Однако из-за высокой концентрации отрасли три крупнейших компании могут формировать основную долю портфеля.
Корректировки портфеля и квартальное ребалансирование определяют, как DRAM ETF перераспределяет активы по мере изменений в отрасли. Управляющий фондом применяет собственную методологию, пересматривая портфель минимум раз в квартал и рассчитывая веса компаний с учетом модифицированной капитализации, рыночной доли и доли выручки от хранения.
Доля одной компании обычно ограничена 25%, но рыночные колебания могут временно привести к превышению или снижению этой величины между датами ребалансирования. Публикации Roundhill также учитывают прямые позиции и экспозицию через total return swaps, поэтому раскрытые веса могут отличаться от фактических долей.
Ребалансирование может изменить структуру фонда тремя способами: (1) при росте капитализации или рыночной доли компании целевой вес увеличивается; (2) при снижении доли выручки от хранения или несоответствии критериям доля сокращается; (3) в портфель могут добавляться новые листинговые или более ликвидные компании.
Активное управление позволяет фонду адаптироваться к изменениям в сегментах HBM, DRAM и NAND, но также связано с риском ошибок управляющего. При неверной оценке продуктовых циклов, конкурентоспособности компаний или структуры активов DRAM ETF может уступать отраслевым или широким полупроводниковым индексам.
Ключевые активы DRAM ETF — ведущие мировые компании хранения: Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk и Kioxia. Первые три предоставляют основной доступ к HBM, DRAM и NAND, а последние две дополняют портфель flash-памятью и корпоративными SSD, что позволяет фонду охватывать спектр от памяти ИИ-ускорителей до долгосрочного хранения данных.
Фонд управляет активами с помощью активного отбора, модифицированной структуры взвешивания по капитализации и квартального ребалансирования, формируя экспозицию через акции, депозитарные расписки и total return swaps. Несмотря на охват США, Кореи и Японии, вес сконцентрирован на нескольких крупных производителях, поэтому результаты ключевых компаний существенно влияют на DRAM ETF.
На 30 июня 2026 года основными активами являются Samsung Electronics, Micron, SK Hynix, SanDisk и Kioxia. Фактический состав и веса корректируются регулярно.
Официальные данные показывают, что Samsung Electronics, Micron и SK Hynix входят в тройку лидеров, на них приходится большая часть экспозиции по HBM, DRAM и NAND.
Micron охватывает HBM, DRAM, NAND и SSD для дата-центров и является ведущей американской компанией хранения, что обеспечивает высокую концентрацию бизнеса и ликвидность.
Samsung Electronics развивает бизнес HBM, серверной DRAM, NAND и корпоративных SSD, предоставляя фонду комплексное покрытие различных сегментов хранения.
Kioxia и SanDisk обеспечивают экспозицию на NAND, flash-память и корпоративные SSD, дополняя направления HBM и DRAM, где работают Micron, Samsung и SK Hynix.
DRAM ETF пересматривает портфель не реже одного раза в квартал, а управляющий регулирует веса компаний с учетом капитализации, доли бизнеса хранения, рыночной доли и ликвидности.





