DRAM ETF 持有哪些股票？深入解析 Micron、三星及 SK 海力士等核心成分

截至 2026 年 6 月 30 日，Roundhill 官方公佈的主要持股包括 Micron、Samsung、SK Hynix、SanDisk 及 Kioxia。公開持倉資訊顯示，Samsung Electronics、Micron 和 SK Hynix 的權重均接近或超過基金組合的四分之一，這些企業是影響 DRAM ETF 表現的核心公司。

這些企業的產品線並非完全相同。Micron、Samsung 及 SK Hynix 主要覆蓋 DRAM、HBM 與 NAND，SanDisk 和 Kioxia 則更專注於 NAND 快閃記憶體、企業級 SSD 及大容量儲存，讓基金同時涵蓋 AI 數據處理與長期資料保存兩大環節。

DRAM ETF 的持倉主要覆蓋哪些公司

DRAM ETF 的持倉主要聚焦全球大型儲存製造商，而非整個半導體產業鏈。根據基金公開說明書，合格企業通常需有至少 50% 收入或利潤來自 HBM、DRAM、NAND、基於 NAND 的 SSD、NOR、HDD 或特殊及嵌入式儲存業務。

Roundhill 另要求入選企業市值至少 100 億美元，且平均日成交額不低於 500 萬美元。這些條件讓組合更偏向已量產、具全球客戶基礎且證券流動性佳的大型儲存企業。

截至 2026 年 6 月 30 日，官方公佈的主要持股如下。持倉及權重將隨主動管理、行情及季度再平衡而調整，並非永久固定。

這套組合並非等權配置。DRAM ETF 採修正市值加權，並綜合考量企業儲存市佔率及儲存收入占比，因此規模更大、業務純度更高者通常權重更重。

Micron 在 DRAM ETF 中的角色

Micron 為 DRAM ETF 提供美國上市儲存龍頭與多元記憶體供應商的角色。產品組合涵蓋 HBM、傳統 DRAM、NAND 與數據中心儲存，能同時連結 AI 加速器記憶體、伺服器系統記憶體及長期資料儲存需求。

於 AI 基礎建設領域，Micron 的 HBM 產品主要為 GPU 及其他加速器持續供給高頻寬數據。公司同時供應 DDR、LPDDR、NAND 及數據中心 SSD，因此其業務並非僅依賴單一 HBM，能覆蓋 AI 數據管線的多層級儲存。

Micron 亦是 DRAM ETF 可於美國股市直接取得的核心成分。相較於主要在亞洲市場交易的 Samsung 及 SK Hynix，Micron 為基金提供更直接的美元計價及美國上市證券曝險，有助於全球組合平衡市場結構。

依 Roundhill 2026 年 6 月 30 日公告，Micron 權重約 24.82%，屬前三大持倉之一，其股價及經營表現對 DRAM ETF 淨值及行情有顯著影響。

Samsung Electronics 與 SK Hynix 如何提供 HBM 與 DRAM 曝險

Samsung Electronics 與 SK Hynix 是 DRAM ETF 取得韓國儲存產業曝險的主要管道。兩者皆涵蓋 DRAM、HBM 與 NAND，但 Samsung 業務更多元，SK Hynix 則更專注於儲存半導體，因此對產業景氣循環的敏感度略異。

Samsung Electronics 於 DRAM ETF 提供全球型儲存龍頭曝險。產品線涵蓋伺服器 DRAM、HBM、NAND 與企業級 SSD，2026 年推進 HBM4 商用出貨及 HBM4E 產品布局，使其持倉同時反映傳統記憶體與先進 AI 內存需求。

SK Hynix 則為組合提供更集中的 HBM 與 DRAM 曝險。公司定位為 DRAM 與 NAND 供應商，持續擴展 HBM、AI-DRAM 及 AI-NAND 產品線，因此其經營表現與 AI 伺服器、高效運算及儲存價格循環連動更強。

截至 2026 年 6 月 30 日，Roundhill 公佈 Samsung Electronics 權重約 25.55%，SK Hynix 約 23.60%。兩者合計佔基金比重甚高，韓國市場、韓元匯率及當地交易時段亦將影響 DRAM ETF 估值與行情表現。

Kioxia、SanDisk 與企業級 SSD 如何補足 NAND 業務

Kioxia 與 SanDisk 在 DRAM ETF 主要補足 NAND 快閃記憶體及企業級 SSD 曝險。有別於 Micron、Samsung 及 SK Hynix 同時涵蓋 HBM 與 DRAM，兩者更專注非揮發性儲存，為組合增添長期資料保存、數據中心 SSD 及大容量快閃領域。

Kioxia 以快閃記憶體與 SSD 為主業，長期研發 BiCS FLASH 等 3D NAND 技術，並以數據中心及企業級儲存為重點市場，持續推動高頻寬、高 IOPS 及大容量 SSD，以支援 AI 推論系統與企業資料運算。

SanDisk 則透過企業級 SSD、NAND 平台及高容量 NVMe 產品服務 AI 數據週期。其企業級儲存產品涵蓋資料收集、模型訓練、檢查點保存及推論資料儲存等環節，為基金提供不同於近端 HBM 的持久儲存曝險。

Kioxia 與 SanDisk 亦於 3D 快閃技術及生產端保持合作，雙方共同開發次世代 NAND，並於 2026 年量產新一代 3D 快閃，這代表兩家雖獨立持倉，部分技術與供應鏈能力仍有連結。

全球儲存企業如何形成分散化持倉結構

DRAM ETF 藉由美、韓、日企業組合，建立跨市場儲存產業曝險。Micron 代表美國儲存企業，Samsung 及 SK Hynix 提供韓國 HBM 與 DRAM 曝險，Kioxia 及 SanDisk 強化日本及全球 NAND、SSD 產業鏈覆蓋。

此區域分布可避免基金僅依賴單一國家或證券市場，但並非高度分散。基金說明書明確將 DRAM ETF 列為非分散型，並註明組合將顯著投資亞洲及韓國發行人，故少數企業、國家或產業事件仍可能對基金產生重大影響。

基金內部分散主要體現在產品型態及上市市場，而非成分數量。核心持倉可對應：

• HBM 與先進 DRAM：SK Hynix、Samsung、Micron
• 傳統伺服器 DRAM：Micron、Samsung、SK Hynix
• NAND 與企業級 SSD：Kioxia、SanDisk、Samsung、Micron
• 多元科技業務：Samsung Electronics
• 美國上市儲存證券：Micron、SanDisk

此結構讓 DRAM ETF 能同時覆蓋 AI 加速器記憶體、伺服器系統內存及長期儲存需求。但由於全球儲存市場集中度高，前三大企業仍可能佔據組合大部分權重。

持倉調整與季度再平衡如何影響 DRAM ETF

持倉調整及季度再平衡決定 DRAM ETF 如何隨產業變化再分配曝險。基金至少每季採管理人專有方法調整組合，並依修正市值、儲存市佔率及儲存收入占比重算公司權重。

單一企業權重原則上受 25% 上限，但市場波動可能使持倉於兩次再平衡間短暫高於或低於目標。Roundhill 公佈持倉資料亦將直接股票與總收益互換曝險合併計算，公開權重未必等同實際股票數量。

再平衡可透過三方式調整結構：一、企業市值或市佔上升，目標權重提高；二、儲存收入占比下滑或不符篩選條件，持倉被削減；三、新上市或流動性改善企業可納入組合。

主動管理讓基金能因應 HBM、DRAM 與 NAND 產業變化，但也帶來管理判斷風險。若管理人對產品週期、企業競爭力或配置判斷失準，DRAM ETF 可能落後其他儲存指數或綜合半導體基金。

總結

DRAM ETF 核心持倉由 Micron、Samsung Electronics、SK Hynix、SanDisk 及 Kioxia 等全球儲存企業構成。前三者主力涵蓋 HBM、DRAM 與 NAND，後兩者則專注快閃及企業級 SSD，讓基金橫跨 AI 加速器記憶體至長期資料儲存完整鏈條。

基金透過主動篩選、修正市值加權及季度再平衡管理持倉，並結合直接股票、存託憑證及總收益互換建立曝險。雖橫跨美、韓、日市場，權重仍集中少數大型儲存企業，故核心企業經營表現對 DRAM ETF 影響顯著。

FAQ

DRAM ETF 目前主要持有哪些公司？

截至 2026 年 6 月 30 日，主要持股為 Samsung Electronics、Micron、SK Hynix、SanDisk 與 Kioxia，實際持倉及權重會持續調整。

DRAM ETF 最大的三檔持倉是哪些？

官方資訊顯示，Samsung Electronics、Micron 及 SK Hynix 為前三大成分，三者合計構成基金主力 HBM、DRAM 與 NAND 曝險。

為何 Micron 在 DRAM ETF 權重較高？

Micron 同時涵蓋 HBM、DRAM、NAND 與數據中心 SSD，且為美國上市主力儲存企業，具高業務純度與流動性。

Samsung Electronics 為何是 DRAM ETF 核心持倉？

Samsung Electronics 擁有 HBM、伺服器 DRAM、NAND 及企業級 SSD 業務，能為基金提供多元儲存產品的綜合性產業曝險。

Kioxia 與 SanDisk 在基金中扮演什麼角色？

Kioxia 與 SanDisk 主要提供 NAND、快閃與企業級 SSD 曝險，補足 Micron、Samsung 及 SK Hynix 的 HBM 與 DRAM 產品線。

DRAM ETF 持倉多久調整一次？

DRAM ETF 至少每季再平衡一次，管理人會依據市值、儲存業務占比、市佔率及流動性調整持倉權重。