توسعة إنتاج رقائق Tesla للذكاء الاصطناعي تدفع الطلب على ذاكرة LPDDR لدى Samsung وSK Hynix

رسالة Gate News، 17 أبريل — من المتوقع أن تؤدي توسعة Tesla لإنتاج رقائق الذكاء الاصطناعي داخل الشركة إلى تعزيز الطلب على ذاكرة DRAM منخفضة الطاقة (LPDDR) من Samsung Electronics وSK Hynix. من المقرر أن تتضمن رقائق Tesla للذكاء الاصطناعي من الجيل التالي أحدث معيار LPDDR6.

كانت Tesla تعمل على تطوير أشباه موصلات للذكاء الاصطناعي داخل الشركة لدفع تقنيات القيادة الذاتية وروبوتات humanoid. وقد نجحت الشركة في إجراء الشريحة المسجلة (taped out) للمعالج AI5، استنادًا إلى عملية تصنيع بمقياس 2 نانومتر. في النصف الثاني من عام 2025، وقّعت Tesla عقد تصنيع (foundry) مع Samsung بقيمة تقارب 22.76 تريليون وون كوري لإنتاج AI6. وفي 16 أبريل، كشفت Tesla عن خططها الخاصة بـ AI6.5، وهو إصدار محسّن مبني على عملية 2 نانومتر من TSMC. تتيح استراتيجية المصنعين المزدوجة هذه لـ Tesla الاستفادة من مصنع Samsung في تكساس ومصنع TSMC في أريزونا لزيادة طاقة إنتاج الرقائق.

برزت SK Hynix باعتبارها المورد الأساسي لذواكر LPDDR لـ AI5، حيث تتضمن عينات AI5 التي كشفت عنها Tesla مؤخرًا منتجات LPDDR من SK Hynix. ومن المتوقع أن تنضم Samsung Electronics إلى سلسلة إمداد LPDDR لدى Tesla بدءًا من AI6. ستتميز كل من AI6 وAI6.5 بذاكرة LPDDR6 التي توفر عرض نطاق 10.6–14.4 Gbps، أي أعلى بنحو 1.5 مرة من معيار LPDDR5X السابق (8.5–10.7 Gbps). من المتوقع أن يبدأ النشر التجاري لـ LPDDR6 في أقرب وقت في النصف الثاني من عام 2026.