CXMT de China prueba línea de DRAM apilada sin EUV, supuestamente por delante de Samsung y SK Hynix

2026-07-05 09:30:59

Según informes de medios surcoreanos, la china CXMT está probando una línea de producción de DRAM unida en Hefei que evita la litografía EUV al utilizar únicamente tecnología de exposición ultravioleta profunda (DUV). La DRAM unida separa las matrices de memoria y los circuitos periféricos en diferentes obleas antes de unirlas, lo que permite una producción de ultra alta densidad sin equipos EUV. Las evaluaciones surcoreanas sugieren que CXMT podría superar a Samsung Electronics y SK Hynix —que están desarrollando tecnologías similares bajo el proyecto "B1b" de Samsung y los esfuerzos paralelos de SK Hynix— tanto en capacidad tecnológica como en velocidad de desarrollo.

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