Samsung lidera los ingresos globales de DRAM y NAND en el primer trimestre; SK Hynix encabeza HBM con un 58%

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Según Counterpoint Research, Samsung Electronics tuvo el 38% de los ingresos globales de DRAM en el primer trimestre de 2026, por delante del 29% de SK Hynix y el 22% de Micron. En memoria de alto ancho de banda (HBM), SK Hynix comandó el 58%, mientras que Samsung y Micron reclamaron cada uno el 21%. Samsung también lideró NAND flash con un 29%, seguido de SK Hynix con un 18%, y la china YMTC subió al 13% desde el 8%.

El mercado de DRAM creció un 80% trimestre a trimestre y un 260% interanual, mientras que NAND se expandió un 90% trimestre a trimestre, impulsado por precios más altos, demanda de servidores de IA y el cambio de los proveedores hacia HBM, DDR5 y almacenamiento empresarial.

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