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El rendimiento de Samsung HBM4E supera el 70%, el proceso DRAM de próxima generación D1d apunta a la aprobación de preparación para producción en noviembre.

AirdropBlackHole
El 1 de julio, Samsung Electronics anunció avances en el desarrollo de HBM4E (séptima generación) y la DRAM de próxima generación después de convertirse en el primero del mundo en producir en masa HBM4 (sexta generación). Song Jae-hyuk, CTO de la división DS de Samsung y jefe del Instituto de Investigación de Semiconductores, declaró durante una reunión interna de actualización empresarial el 30 de junio que el rendimiento de las pruebas de fiabilidad de HBM4E ha superado el 70%. La industria generalmente considera que un rendimiento superior al 80% indica una fase estable de 'rendimiento maduro'; por lo tanto, un rendimiento superior al 70% se considera una señal de que el desarrollo está entrando en un rango estable. Samsung comenzó la producción en masa de HBM4 en febrero de este año y publicó públicamente las especificaciones técnicas detalladas para los productos de 12 capas de HBM4E el 29 de mayo, enviando muestras a clientes clave. HBM4 se utilizará en el acelerador de IA Vera Rubin de NVIDIA, que se lanzará en el segundo semestre de este año, mientras que se espera que HBM4E se utilice en el acelerador de IA de próxima generación de NVIDIA, Vera Rubin Ultra, cuya publicación está prevista para el próximo año. El desarrollo del proceso de DRAM de próxima generación de Samsung también avanza sin problemas. Song Jae-hyuk cree que la tecnología de proceso D1d tiene ventajas competitivas sobre los rivales y apunta a obtener la aprobación de preparación para la producción en noviembre. D1d es el proceso DRAM central que Samsung planea aplicar a partir de la próxima generación de HBM5 (octava generación), y si el desarrollo avanza según lo planeado, impactará positivamente en la competitividad de la DRAM de próxima generación y los posteriores productos HBM5. (Fnnews)
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