Infineon remporte une affaire de brevet GaN en Allemagne, ordonne au fabricant de semi-conducteurs GaN de cesser la vente et de payer des dommages et intérêts

D’après le tribunal régional de Munich (Landgericht München I), Infineon a remporté le 19 juin un procès pour contrefaçon de brevet contre GaN Semiconductor : le tribunal a ordonné au défendeur de cesser la fabrication et la vente de produits en nitrure de gallium contrefaisants en Allemagne et de verser des dommages et intérêts. Cette décision marque la troisième et la quatrième défaite consécutive en justice de GaN Semiconductor dans cette série de litiges liés aux brevets, selon Infineon. Cela contraste avec une décision récente de la Cour populaire suprême de Chine, qui a estimé qu’Infineon avait contrefait le brevet de GaN Semiconductor et l’a condamnée à payer 10 millions de yuans de dommages et à cesser les ventes en Chine.
Avertissement : Les informations figurant sur cette page peuvent provenir de sources tierces et sont fournies à titre indicatif uniquement. Elles ne reflètent pas les points de vue ou opinions de Gate et ne constituent pas un conseil financier, d’investissement ou juridique. Le trading des actifs virtuels comporte des risques élevés. Veuillez ne pas vous fonder uniquement sur les informations de cette page pour prendre vos décisions. Pour en savoir plus, consultez l’avertissement.
Commentaire
0/400
Aucun commentaire