Le rendement du Samsung HBM4E dépasse 70%, le processus DRAM D1d vise l'approbation de la production en novembre

Selon Song Jae-hyuk, directeur technique de la division DS de Samsung Electronics, le rendement des tests de fiabilité du HBM4E a dépassé 70 % au 30 juin, le développement entrant dans une phase stable. La société, qui a commencé la production en série du HBM4 en février, fait progresser sa technologie de procédé DRAM de nouvelle génération D1d avec pour objectif d'obtenir l'approbation de préparation à la production en novembre. D1d sera appliqué aux HBM5 de Samsung et aux produits suivants.
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