Dua raksasa memori Tiongkok menggelontorkan 63 miliar yuan Tiongkok, kapasitas produksi bulanan Changxin untuk DDR5 mencapai 350 ribu keping

Long鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）擬合計砸下63億元人民幣的資本支出，用於採購生產線和擴產；若計劃按時完成，至2026年底，Long鑫存儲的每月DRAM產能將接近35萬片，僅比同期Micron（Micron）預估的37.5萬片少不到十分之一。

Long鑫存儲的多重曝光DUV工藝路線

據報導，Long鑫存儲在無法獲取EUV（極紫外）設備時，採用較舊的DUV（深紫外）設備方案，並加入多重曝光技術——即多次重複曝光同一晶圓，增加工藝步驟以達到原本需EUV的線路精度。其成本是良率（產出率）壓力較大，且每片芯片的生產成本較高；但回報是能夠直接生產支持DDR5（8000 MT/s）和LPDDR5X的記憶模組，進入對伺服器AI需求最為缺乏的市場。

此外，Long鑫存儲能在約12個月內建成潔淨室，形成在全球設備交付環境延長下的時間差優勢——在Long鑫存儲運行設備追求良率的同時，競爭對手可能仍在等待設備交付。

中國半導體設備本地化與技術布局

據報導，此次擴產對供應鏈地圖的影響包括：中國本土半導體設備的採購比例目前約為23.2%（超過70%的依賴進口）；但預計Long鑫存儲在2026年的採購支出將為國內供應商帶來約100億元人民幣的新商機，形成“市場資金支持供應商，供應商提升良率”的良性循環，從而逐年降低對進口的依賴。

在技術布局方面，中國政府推動Long鑫存儲將DRAM技術的IP（專利技術和工藝秘密）轉移至福建晉華、盛威徐，以及Longjiang存儲的子公司XinXin，旨在削弱美國制裁的單點攻擊效應，同時提前布局未來歐洲和美國市場。

常見問題

Long鑫存儲如何在沒有EUV設備的情況下生產更先進的DDR5？

據報導，Long鑫存儲採用DUV（深紫外）設備結合多重曝光技術，即多次重複曝光同一晶圓，通過增加工藝步驟來獲得更細的線路；其成本是良率壓力和每片芯片成本較高，但能夠生產支持8000 MT/s的DDR5和LPDDR5X記憶模組，直接供應AI伺服器市場。

到2026年底，Long鑫存儲的每月DRAM產能與Micron相比如何？

據分析師預估，若擴產計劃按時完成，2026年底的月產能將接近35萬片；同期Micron預計約37.5萬片，差距不到十分之一（約6.7%）。Longjiang存儲的NAND在全面投產後，月產能預計突破17萬片。具體數據依各公司財報和行業研究機構最新報告而定。

中國記憶體擴產對全球半導體設備市場有何影響？

根據SEMI（國際半導體產業協會）預測，全球半導體設備市場將從2024年的1166億美元增長到2027年的1556億美元，市場規模將持續擴大；中國廠商的擴產計劃在其中扮演重要角色，但當三星、SK海力士和Micron這三大記憶體巨頭同步增加資本支出時，競爭激烈程度也在不斷升高。