Kioxia, Samsung Menampilkan Multi-Array Bonded NAND di VLSI 2026; Kioxia Mencapai 218 Lapisan, Samsung Mencapai 450 Lapisan

Menurut SemiAnalysis, selama konferensi VLSI 2026, Kioxia dan Samsung meluncurkan arsitektur NAND hybrid bonded multi-array sebagai jalur untuk mencapai kepadatan di atas 1.000 lapisan. Sampel multi-stack cell array (MSA) Kioxia mencakup sampel mekanis ganda 218 lapisan (2 tumpukan) dan sampel listrik ganda 17 lapisan untuk validasi keandalan QLC. Sampel cell multiple bonding (CMB) Samsung lebih maju dengan sampel mekanis ganda 450 lapisan (3 tumpukan) dan sampel listrik ganda 155 lapisan. SemiAnalysis mencatat bahwa dalam lingkungan yang terbatas kapasitas saat ini, prioritas industri harus fokus pada peningkatan jumlah wordline per lapisan etsa daripada mengejar tumpukan yang lebih tinggi, untuk menghindari pengurangan output bit per pabrik akibat kerugian hasil.
Penafian: Informasi di halaman ini mungkin berasal dari sumber pihak ketiga dan hanya untuk referensi. Ini tidak mewakili pandangan atau pendapat Gate dan bukan merupakan nasihat keuangan, investasi, atau hukum. Perdagangan aset virtual melibatkan risiko tinggi. Mohon jangan hanya mengandalkan informasi di halaman ini saat membuat keputusan. Untuk detailnya, lihat Penafian.
Komentar
0/400
Tidak ada komentar