Samsung Menerapkan Proses 2nm pada Base Die HBM5 untuk Lonjakan Kecepatan 50%

Samsung Electronics mengumumkan pada tanggal 27 bahwa pihaknya akan menerapkan proses pengecoran 2-nanometer dengan struktur Gate-All-Around (GAA) pada base die HBM5, memori High Bandwidth Memory generasi berikutnya. Perusahaan menyatakan melalui newsroom semikondutornya bahwa kecepatan operasi HBM5 diperkirakan lebih dari 50% lebih cepat dibanding generasi sebelumnya HBM4E, dan bahwa mereka sedang menyiapkan proses mutakhir untuk meningkatkan kecepatan serta efisiensi daya. Base die adalah semikonduktor logika yang terletak di bagian bawah struktur tumpukan HBM, menghubungkan data antara prosesor eksternal seperti GPU dan CPU dengan HBM, serta muncul sebagai komponen inti yang menentukan kinerja keseluruhan produk dan efisiensi daya sejak HBM4 mulai menggunakan proses pengecoran.

Samsung Mengirimkan HBM4 dan HBM4E dengan Proses 4nm

Samsung Electronics mengirimkan HBM4 pertama di dunia untuk produksi massal pada Februari, disusul sampel HBM4E 12-layer pada Mei. Base die HBM4 dan HBM4E menggunakan proses generasi ke-4 4-nanometer Samsung Foundry, yang telah memasuki tahun ke-3 produksi massalnya.

Samsung Menerapkan Perangkat Kepadatan Tinggi dan Kinerja Ultra-Tinggi pada Base Die HBM4E

Gu Ja-heum, Wakil Presiden dan Kepala Pengembangan Teknologi di Samsung Electronics Foundry Business, menjelaskan bahwa perangkat ber-kepadatan tinggi dan perangkat ber-kinerja ultra-tinggi diterapkan pada base die HBM4E untuk mencapai operasi berkecepatan tinggi 14Gbps atau lebih. Lapisan pengkabelan logam disusun secara efisien untuk menekan konsumsi daya, dan jalur pembuangan panas juga dioptimalkan.

Samsung Menyoroti Kemampuan Turnkey yang Mengintegrasikan Memori, Foundry, dan Packaging

Samsung Electronics menekankan kemampuan turnkey yang menginternalisasi memori, pengecoran, dan advanced packaging. Struktur ini melibatkan Memory Business yang menghasilkan core die, Foundry Business yang menghasilkan base die, dan unit packaging yang merakitnya menjadi produk jadi. Menurut perusahaan, hal ini memungkinkan optimasi bersama atas kecepatan, daya, panas, dan yield sejak tahap desain. Samsung menyatakan bahwa selama pengembangan base die HBM4, dibentuk satuan tugas lintas divisi, yang mencapai target performa dan yield sejak sampel pertama, dengan waktu sekitar tiga bulan yang diperlukan dari persiapan proses hingga konfirmasi hasil.

Samsung Memulai Produksi 2nm dan Berencana Meluncurkan Produk Mobile Generasi ke-2 2nm

Samsung Electronics memperluas area penerapan proses pengecoran advanced dari mobile ke AI, high-performance computing (HPC), otomotif, dan robotika. Perusahaan memulai produksi massal proses 2-nanometer generasi ke-1 pada paruh kedua tahun lalu. Pada paruh kedua tahun ini, pihaknya berencana memulai produksi massal produk mobile berbasis proses 2-nanometer generasi ke-2 dengan yield dan performa yang ditingkatkan. Selain itu, Samsung juga memperluas solusi one-stop yang menghubungkan advanced packaging dan HBM, serta mengejar pengembangan teknologi berbasis silicon photonics dan co-packaged optics (CPO) untuk pusat data. Berdasarkan pengalaman base die 4-nanometer yang terakumulasi dari HBM4, Samsung berencana menerapkan proses 2-nanometer pada HBM5 secara proaktif untuk memperkuat kepemimpinan teknologinya di pasar semikonduktor AI.

FAQ

Proses pengecoran apa yang akan Samsung terapkan pada base die HBM5?

Samsung Electronics mengumumkan pada tanggal 27 bahwa pihaknya akan menerapkan proses pengecoran 2-nanometer dengan struktur Gate-All-Around (GAA) pada base die HBM5. Perusahaan menyatakan bahwa kecepatan operasi HBM5 diperkirakan lebih dari 50% lebih cepat dibanding HBM4E.

Kapan Samsung mengirimkan produk HBM4 dan HBM4E?

Samsung Electronics mengirimkan HBM4 pertama di dunia untuk produksi massal pada Februari dan mengirimkan sampel HBM4E 12-layer pada Mei. Base die dari kedua produk tersebut menggunakan proses generasi ke-4 4-nanometer Samsung Foundry.

Apa jadwal produksi Samsung untuk proses 2nm?

Samsung Electronics memulai produksi massal proses 2-nanometer generasi ke-1 pada paruh kedua tahun lalu. Perusahaan berencana memulai produksi massal produk mobile berbasis proses 2-nanometer generasi ke-2 dengan yield dan performa yang ditingkatkan pada paruh kedua tahun ini.