キオクシア、AIデータセンター向けに332層NANDフラッシュの出荷を開始、前世代より59%高密度

据《日本时报》报道,日本芯片制造商铠侠已开始向AI数据中心运营商发送其332层第十代3D NAND闪存样品。

这款新芯片的位密度比第八代产品高出59%,速度达到4.8 Gb/s,比上一代快约33%,同时输入功耗降低10%,输出功耗降低34%。

生产将在岩手县铠侠北上工厂分阶段扩大,预计2026年上半年将实现显著产出。

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