Samsung Electronicsは、現地時間24日にサンフランシスコで開催されたAIサミットで、Broadcomと戦略的パートナーシップに関する覚書（MOU）を締結した。この提携は2000億ドル超（約280兆ウォン）とされ、2030年まで継続し、次世代の人工知能（AI）コアとなるインフラの構築に注力する。今回の提携は、グローバルな大手テック企業によるカスタム専用のASIC（アプリケーション特化型集積回路）の採用が拡大する流れに対応し、Broadcomのカスタム半導体設計の強みと、Samsungのメモリ、ファウンドリ、パッケージングの能力を組み合わせることで、AI半導体の競争力を高めることを目的としている。
締結式には、Samsung Electronicsのファウンドリ事業社長であるHan Jin-man氏、BroadcomのCEOであるHock Tan氏、両社の幹部、政府関係者が出席した。また、イベントにはSamsung Electronics会長のLee Jae-yong氏とPresident Lee Jae-myung氏も出席していた。
Samsung-Broadcomの提携は2030年までメモリ、ファウンドリ、パッケージをカバー
両社は今後5年間で、メモリ、ファウンドリ、先端パッケージにおける協力を拡大する。Samsung Electronicsは、Broadcomの次世代AIアクセラレータ向けに、高帯域メモリ（HBM）を含む先端メモリ製品を供給する。提携では、Broadcomの主要製品に対して2ナノメートル以下のファウンドリプロセスと先端パッケージング技術を適用する。
SamsungはHBM4を供給し、Broadcom製品に2nmファウンドリプロセスを適用
Samsung Electronicsは、2月に1c DRAMおよび4nmベースダイ技術を適用したHBM4を量産して出荷し、5月には同社がHBM4Eのサンプルを顧客に供給した。SamsungのHBMは、BroadcomのAIアクセラレータの計算性能と電力効率を高めるために利用される。
ファウンドリ分野では、提携により、Broadcomの主要製品（次世代の高速データ通信半導体など）に対して2ナノメートル以下のプロセスを適用する。両社は、半導体の設計、プロセス最適化、パッケージング、量産を連携させることで、製品開発期間を短縮する計画だ。
幹部がAI時代に向けた統合型半導体ソリューションを強調
Samsung ElectronicsのDS部門副会長であるJeon Young-hyun氏は、「AI時代には、メモリ、ロジック、先端パッケージを緊密に統合した半導体ソリューションが重要だ」と述べた。さらに、「将来のAIインフラの開発を加速し、顧客により大きな価値を提供するため、Broadcomとの協力を拡大する」と付け加えた。
BroadcomのSemiconductor Solutions Group社長であるCharlie Kawas氏は、「Samsung Electronicsとの協力を通じて、市場の多様な需要の変化に最適化した次世代ソリューションを共に創出する」と語った。
FAQ
24日に発表されたSamsung-Broadcom提携の価値は？
Samsung ElectronicsとBroadcomの戦略的パートナーシップは2000億ドル超（約280兆ウォン）とされ、2030年まで続く。AIインフラ開発のためのメモリ、ファウンドリ、先端パッケージを対象とする。
BroadcomはAIアクセラレータで具体的にどのSamsung製品を使用するの？
Broadcomは、HBM4およびHBM4Eを含むSamsungの高帯域メモリ製品を、次世代AIアクセラレータで使用する。Samsungは2月にHBM4を量産し、5月に顧客へHBM4Eのサンプルを供給した。提携では、Broadcomの主要製品に対してSamsungの2ナノメートル以下のファウンドリプロセスも適用する。
