Rendimento do HBM4E da Samsung supera 70%, processo D1d DRAM visa aprovação de produção em novembro

De acordo com o CTO da divisão DS da Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, o rendimento dos testes de confiabilidade do HBM4E ultrapassou 70% em 30 de junho, com o desenvolvimento entrando em uma fase estável. A empresa, que iniciou a produção em massa do HBM4 em fevereiro, está avançando sua tecnologia de processo D1d DRAM de próxima geração com o objetivo de obter aprovação de prontidão para produção em novembro. O D1d será aplicado ao HBM5 da Samsung e produtos subsequentes.
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