Coreia do Sul e Japão revelam desenhos de arquitetura vertical HBM para aumentar em 80% a largura de banda da memória da IA

Na conferência VLSI IEEE/JSAP de 2026, equipas de investigação da UNIST, da Coreia do Sul, e da Universidade de Tóquio, do Japão, anunciaram independentemente duas novas arquiteturas de memória de alta largura de banda (HBM)—V-Die e MOSAIC—que alteram a orientação dos chips de DRAM de horizontal para vertical para melhorar a dissipação térmica e resolver os estrangulamentos de memória nos chips de IA.

A arquitetura V-Die da UNIST faz rodar os chips de DRAM a 90 graus e posicioná-los na vertical usando vias através de silício (TSV), libertando espaço para células de memória adicionais ao mesmo tempo que introduz canais de arrefecimento líquido entre os chips. Os dados de simulação mostram que a V-Die atinge 540 tokens por segundo ao executar cargas de trabalho ao nível do GPT-3, quase o dobro dos 296 tokens por segundo da HBM4 convencional. A MOSAIC, da Universidade de Tóquio, utiliza empilhamento de chips ortogonal com interfaces inter-chip sem contacto, recorrendo ao acoplamento por microindutor, alcançando 4 Gbps por canal e podendo duplicar a capacidade da HBM4 em configurações de DRAM-on-GPU. Ambas as soluções visam resolver o crítico estrangulamento da largura de banda de memória que limita os atuais aceleradores de IA, embora ambas permaneçam na fase académica de simulação.