Выход годных Samsung HBM4E превышает 70%, процесс D1d DRAM нацелен на получение одобрения производства в ноябре.

По словам технического директора подразделения DS Samsung Electronics Song Jae-hyuk, выход годных при тестировании надежности HBM4E по состоянию на 30 июня превысил 70%, а разработка вошла в стабильную фазу. Компания, начавшая массовое производство HBM4 в феврале, продвигает технологию процесса DRAM следующего поколения D1d с целью получения одобрения готовности к производству в ноябре. D1d будет применяться в HBM5 и последующих продуктах Samsung.
Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.
комментарий
0/400
Нет комментариев