По словам полупроводникового аналитика Эндрю Лу, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует перейти с кремниевых интерпозеров на стеклянные интерпозеры с использованием технологии CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) примерно к 2029 году. Этот переход направлен на решение проблем с пропускной способностью, поскольку конструкции чипов для ИИ становятся больше, требуя большего количества стеков памяти.

Лу прогнозирует, что мощность CoWoS TSMC достигнет примерно 200 000 штук в месяц к концу 2026 года, вырастет до 280 000 штук в 2027 году и до 360 000 штук в 2028 году. Ожидается, что технология CoPoS начнет ограниченное пробное производство в 2028 году, а ускорение массового производства начнется в 2029 году, с целью около 12 000 штук в месяц к концу 2029 года.

Посмотреть источник

Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.

Связанные новости

3ч назад

Samsung Electronics объявляет о 2-нм техпроцессе и партнёрствах в области полупроводников для ИИ на SAFE Forum 2026

15ч назад

Google привлекает MediaTek для создания чипа TPUv9 Triggerfish

16ч назад

Корнинг Тайченгуан разъясняет, что GlassBridge и MPO являются взаимодополняющими, а не конкурирующими, 30 июня.

06-30 04:49

Toshiba запускает 80V N-канальный силовой MOSFET TPM1R408RH с использованием процесса U-MOS11-H

06-30 00:42

Ограничения поставок вольфрама могут продлить узкие места в производстве чипов для ИИ, цены выросли на 151% с начала года

Детальный анализ