Суперцикл пам’яті для штучного інтелекту: боротьба за потужність HBM між SK Hynix, Samsung та Micron і зсув оцінки н?

Markets
Оновлено: 28/05/2026 06:41

23 квітня 2026 року став переломним моментом для напівпровідникової галузі Південної Кореї. SK Hynix оприлюднила квартальний фінансовий звіт, що змінив уявлення про можливості індустрії: виручка за перший квартал досягла 52,58 трильйона вон, що на 198,1% більше, ніж торік; операційний прибуток зріс до 37,61 трильйона вон, що становить вражаюче зростання на 405,5%; чистий прибуток склав 40,35 трильйона вон, збільшившись на 397,6%. Усі три ключові показники — виручка, операційний прибуток і чистий прибуток — встановили нові історичні рекорди. Це також перший випадок, коли корейський виробник мікросхем перевищив 50 трильйонів вон квартальної виручки.

Майже одночасно дві інші провідні компанії світового ринку мікросхем пам’яті — Samsung Electronics і Micron Technology — досягали власних історичних рубежів. 26 травня 2026 року акції Micron зросли на 19,29% за день, що дозволило капіталізації компанії перевищити $1 трильйон (приблизно $1,023 трильйона), і зробило її третьою напівпровідниковою компанією у світі, яка увійшла до «трильйонного клубу». Станом на 28 травня ціна акцій Micron становила $928,41, а під час позабіржових торгів дещо знизилася до близько $904. Тим часом Samsung ще більше зміцнила свою перевагу над SK Hynix на ринку DRAM, захопивши 38% частки у першому кварталі 2026 року.

Джерело: Google Finance

Усі три компанії тепер перебувають у центрі суперциклу пам’яті для штучного інтелекту. Це історія про HBM (High Bandwidth Memory) — стекову архітектуру DRAM, призначену для прямої взаємодії з графічними процесорами та AI-акселераторами, яка стала найзатребуванішим стратегічним ресурсом в інфраструктурі штучного інтелекту.

Як HBM стала ключовою для галузі

HBM — це не нова технологія, але її стратегічне значення різко зросло в епоху великих AI-моделей. На відміну від традиційної пам’яті DDR чи LPDDR, HBM вертикально компонуються з чипів DRAM і з’єднуються через наскрізні кремнієві отвори, забезпечуючи у кілька разів більшу пропускну здатність на одиницю площі порівняно зі звичайними рішеннями. Це дозволяє графічним процесорам обробляти величезні масиви даних із меншим енергоспоживанням, безпосередньо впливаючи на ефективність навчання та інференсу AI.

Щоб зрозуміти сучасний розподіл сил, важливо простежити чітку хронологію технологічної еволюції та стратегічної диференціації:

2013–2022: Ранні впровадження та стратегічне розмежування

SK Hynix першою у світі випустила продукт HBM у 2013 році та зберігала лідерство у наступних поколіннях — HBM2, HBM2E та HBM3. Хоча Samsung тривалий час займала перше місце за обсягом і виручкою DRAM у світі, до сегменту HBM вона увійшла пізніше, активізувавши інвестиції лише в епоху HBM3/HBM3E. Micron повністю пропустила HBM3, одразу перейшовши до HBM3E, обравши стратегію випередження для отримання переваги пізнього гравця.

2023–2024: Формування епохи HBM3E

На тлі буму генеративного AI попит на HBM різко зріс. SK Hynix стала головним постачальником HBM3E для Nvidia, першою поставивши продукти для платформи Blackwell. За даними Counterpoint Research, частка SK Hynix на ринку HBM зберігалася понад 50% з IV кварталу 2024 року до III кварталу 2025 року. У вересні 2024 року SK Hynix першою у світі розпочала масове виробництво HBM4, ще більше закріпивши лідерство.

Друга половина 2025 — початок 2026: Загострення конкуренції у HBM4

На виставці CES у січні 2026 року Nvidia представила архітектуру графічних процесорів нового покоління Vera Rubin. Специфікації HBM4 були фіналізовані: ширина інтерфейсу пам’яті подвоїлася з 1 024 до 2 048 біт, місткість одного стека зросла до 48 ГБ (16 шарів), а пропускна здатність системи досягла 22 ТБ/с — приблизно втричі більше, ніж у ранніх систем Blackwell. На GTC 2026 у березні Samsung публічно продемонструвала зразки HBM4E, досягнувши 16 Гбіт/с на контакт і загальної пропускної здатності 4,0 ТБ/с.

II квартал 2026: Настає ера трильйонних капіталізацій

До травня 2026 року всі три гіганти пам’яті або перевищили, або наблизилися до капіталізації $1 трильйон. SK Hynix подолала цю позначку наприкінці травня, ставши другою публічною компанією Кореї, що досягла цього рівня. Незабаром досягнення повторила Micron. Samsung зберігає лідерство за капіталізацією на корейській біржі.

Три виміри конкурентних позицій

Частка ринку: двошарова структура DRAM і HBM

Для розуміння конкурентної динаміки між трьома компаніями важливо розрізняти два рівні частки ринку: загальний DRAM і сегмент HBM, орієнтований на AI.

Counterpoint Research повідомила 27 травня 2026 року, що світова виручка від DRAM у I кварталі 2026 року досягла $97 мільярдів — рекордний рівень, що на 80% більше за квартал і на 260% більше за рік. Розподіл часток ринку:

Показник Samsung SK Hynix Micron
Частка ринку DRAM (I кв. 2026) 38% 29% 22%
Частка ринку HBM (прогноз 2026) ~28% ~50% ~22%

Джерела: частка DRAM — Counterpoint Research; частка HBM — прогноз TrendForce (SK Hynix ~50%, Samsung ~28%, Micron — решта).

Відмінність між цими двома наборами даних показова: Samsung лідирує із 38% на ринку DRAM загалом, але SK Hynix домінує у високовартісному сегменті HBM із приблизно 50% частки. Це відображає дві різні стратегії: Samsung орієнтується на масштаб і широку продуктову лінійку, а SK Hynix концентрує ресурси на сегменті AI-пам’яті з високою маржею.

Щоквартальні зміни частки ринку DRAM також сигналізують про важливі тренди: частка Samsung зросла на 2 відсоткові пункти (з 36% у IV кварталі до 38% у I кварталі), тоді як частка SK Hynix знизилася на 3 пункти (з 32% до 29%), що свідчить про агресивне нарощування потужностей Samsung.

Фінансові результати: розходження у прибутковості

Фінансові результати I кварталу 2026 року підкреслюють відмінності у прибутковості трьох компаній у період суперциклу:

SK Hynix: Квартальна виручка — 52,58 трильйона вон, операційний прибуток — 37,61 трильйона вон, операційна маржа — 72%, чиста маржа — 77%. Усі ключові показники — рекордні для компанії. Середня ціна продажу DRAM зросла приблизно на 65% за квартал, NAND — на 75%. Валова маржа та маржа EBITDA — по 79%. Чистий позаопераційний прибуток у I кварталі — 14 трильйонів вон, зокрема 1,6 трильйона вон чистого прибутку від курсових різниць і 9,9 трильйона вон від переоцінки інвестиційних активів — обидва ці фактори є разовими.

Samsung Electronics: Бізнес Samsung охоплює чипи пам’яті, контрактне виробництво, смартфони, побутову техніку тощо; прибутки сегмента зберігання даних не виділяються окремо. 18 травня Nomura підвищила цільову ціну акцій Samsung із 340 000 до 590 000 вон, прогнозуючи, що попит на інференс AI запустить новий цикл пам’яті. Хоча ринок високо оцінює сегмент зберігання даних Samsung, загальна оцінка компанії стримується іншими підрозділами.

Micron Technology: За III квартал 2026 фінансового року (закінчується у травні 2026) Micron прогнозує виручку близько $33,5 мільярда, що на понад 260% більше за рік. За II квартал 2026 фінансового року скоригований прибуток на акцію (non-GAAP EPS) склав близько $8,42. Увесь обсяг HBM на 2026 рік уже розпродано.

Порівняння маржі: операційна маржа SK Hynix у 72% — найвища в галузі. KB Securities прогнозує річну операційну маржу SK Hynix у 2026 році на рівні 78,1%, що потенційно є найвищим показником у світовій напівпровідниковій індустрії — навіть вище, ніж у Nvidia та Saudi Aramco.

Оцінка компаній: нові підходи до цінових орієнтирів

Логіка оцінки цих компаній фундаментально змінюється — від «циклічного ціноутворення» до «структурного переоцінювання». Станом на 28 травня 2026 року основні цільові ціни провідних брокерів виглядають так:

Компанія Брокер Цільова ціна Основна логіка
SK Hynix Nomura (17 травня) 4 000 000 вон Експоненціальне зростання попиту на AI-пам’ять
SK Hynix KB Securities (15 травня) 3 000 000 вон Операційна маржа у 2026 році — 78,1%
SK Hynix Mirae Asset Securities (27 травня) 3 800 000 вон Зростання ROE та переоцінка компанії
Micron Technology UBS (26 травня) $1 625 Прибутки, зафіксовані LTAs + нова модель оцінки

Джерела: звіт Nomura від 17 травня; KB Securities — 15 травня; Mirae Asset Securities — 27 травня; UBS — 26 травня.

Найагресивнішу логіку застосовує Nomura: цільова ціна у 4 000 000 вон — різке підвищення з попередніх 2 340 000 вон, обґрунтоване «експоненціальним зростанням» попиту на AI-пам’ять. Хмарні гіганти підписують довгострокові угоди (LTAs), фіксуючи ціни й обсяги з передоплатою.

Підхід UBS до переоцінки Micron має методологічне значення. Аналітик Akuri відмовився від традиційної оцінки за сумою частин, обравши модель форвардного P/E на основі дисконтованих майбутніх прибутків. Ключове припущення: навіть у періоди спаду Micron зможе зберігати стабільну прибутковість, що виправдовує підвищення мультиплікатора. Завдяки LTAs UBS застосовує 15-кратний форвардний P/E, встановлюючи цільову ціну на рівні $1 625.

Аналіз ринкових настроїв: чотири основні лінії дискусії

Погляди ринку на трьох гігантів пам’яті далекі від одностайного оптимізму. Дискусія між «биками» та «ведмедями» зосереджується навколо чотирьох основних тем:

Тема 1: Суперцикл настав vs. циклічність нікуди не зникла

Оптимісти говорять про структурний зсув у попиті. Nomura вводить поняття «нового механізму», стверджуючи, що стара циклічна модель більше не пояснює сучасну динаміку попиту й пропозиції — попит на AI-пам’ять зростає експоненційно, а пропозиція обмежена темпами будівництва фабрик, вузькими місцями у EUV-літографії та браком потужностей для передових корпусувань, що робить розширення надзвичайно повільним.

Morningstar займає обережнішу позицію: акції SK Hynix зросли приблизно на 88% з початку 2026 року, і навіть рекордні квартальні показники можуть не призвести до подальшого зростання цін. Ключове питання — чи справді циклічність галузі пам’яті подолано назавжди, чи вона лише тимчасово не проявляється. У день публікації фінансового звіту SK Hynix її акції навіть знизилися, що свідчить: очікування вже були враховані у ціні.

Тема 2: SK Hynix лідирує у HBM vs. потужне повернення Samsung

Загальноприйнята думка полягає у тому, що SK Hynix має явну перевагу першого гравця у HBM. За даними Korea Economic Daily (березень 2026), SK Hynix забезпечила близько 70% початкових замовлень Nvidia Vera Rubin на HBM4, Samsung — приблизно 30%. TrendForce прогнозує, що SK Hynix збереже лідерство у світових постачаннях HBM у 2026 році з приблизно 50% обсягу.

Однак повернення Samsung не варто недооцінювати. У березні 2026 року Samsung пройшла сертифікацію HBM4 від Nvidia (для швидкостей 10 Гбіт/с і 11 Гбіт/с) і почала постачання HBM4 у лютому. Samsung скоротила цикл R&D HBM із приблизно двох років до менш ніж одного, синхронізувавши його з річними оновленнями продуктів Nvidia. На GTC у березні 2026 року Samsung продемонструвала зразки HBM4E зі швидкістю 16 Гбіт/с на контакт і загальною пропускною здатністю 4,0 ТБ/с.

Тема 3: Micron на маргінесі vs. недооцінена можливість

Широко обговорюваний звіт Korea Economic Daily (березень 2026) зазначає, що лише Samsung і SK Hynix були вказані як постачальники HBM4 для флагманської платформи Nvidia Vera Rubin, а Micron відсутня. Водночас галузеві аналітики вказують, що Micron може постачати HBM4 для менш потужних AI-акселераторів Rubin (наприклад, Rubin CPX), тому повністю виключати її не варто.

UBS пропонує інший погляд: оцінка Micron істотно нижча за корейських конкурентів, і після масштабування бізнесу HBM та стабілізації прибутків потенціал переоцінки більший. Весь обсяг HBM Micron на 2026 рік уже розпродано; обсяг ринку HBM, за прогнозами, зросте з $35 мільярдів у 2025 році до $100 мільярдів у 2028 році, із середньорічним темпом близько 40%.

Тема 4: LTAs змінюють оцінку vs. циклічність повернеться

Дослідження UBS зазначає, що нові LTAs зазвичай укладаються на 3–5 років, фіксуючи обсяги й ціни, а покупці зобов’язуються здійснювати передоплати й інвестувати у капітальні витрати. Хмарні гіганти вже зафіксували 60–70% постачань серверної DDR5 через розширені LTAs, а до 2027 року 20–30% обсягу DDR буде покрито такими угодами.

Ця тенденція фундаментально змінює підходи до оцінки пам’ятних компаній. Традиційно виробників пам’яті сприймають як дуже циклічні акції — прибутки різко зростають на піку й зменшуються або стають від’ємними у періоди спаду. Якщо LTAs справді згладжують прибутки, гіганти пам’яті зможуть зберігати відносно стабільний дохід навіть у періоди спаду, що підтримає вищі мультиплікатори оцінки.

Оцінка впливу на галузь: структурна трансформація ринку пам’яті

Суперцикл AI-пам’яті — це не просто ціновий бум, а фундаментальна перебудова світової індустрії мікросхем пам’яті у чотирьох напрямах:

Структурний перекіс у розподілі потужностей. Площі кристалів HBM значно більші, ніж у стандартної DRAM такої ж місткості, тобто кожен чип HBM витісняє у виробництві кількаразово більший обсяг звичайної DRAM. За даними Counterpoint Research, із кінця 2025 року хмарні провайдери прискорили розгортання AI-інфраструктури, і зростання попиту на HBM витісняє стандартну DRAM, створюючи дефіцит на всьому ринку DRAM. Президент SEMI China Фен Лі зазначає, що навіть якщо 70% нових і гнучких потужностей трьох гігантів буде перенаправлено на HBM, дефіцит HBM залишиться на рівні 50–60%. Саме цей ефект витіснення пояснює загальне зростання цін на пам’ять.

Поглиблення відносин із клієнтами. На відміну від стандартизованої продукції традиційної пам’яті, ланцюги постачання HBM стають високоспеціалізованими стратегічними партнерствами. Альянс SK Hynix «One-Team» із TSMC, синхронізовані цикли R&D Samsung із Nvidia, LTAs Micron із хмарними гігантами — усе це приклади глибокої технічної інтеграції та комерційної фіксації. Такі відносини створюють високі бар’єри входу у HBM, ще більше зміцнюючи позиції чинних постачальників.

Прискорення гонки R&D. Намір Samsung скоротити цикл R&D HBM до менше ніж року свідчить про галузеву «гонку озброєнь». Виробники AI-чипів переходять до щорічних оновлень лінійок; постачальники HBM, які не встигають за цим темпом, ризикують втратити ключові замовлення. Це означає, що інтенсивність досліджень і розробок лише зростатиме, а компанії з більшим масштабом і глибшими технологічними компетенціями розширюватимуть перевагу.

Зусилля Китаю щодо прориву. Окрім глобальної тріади, китайські виробники пам’яті швидко скорочують відставання. ChangXin Memory досягла прориву у процесі DRAM на 1β-нанометрі й масово виробляє DDR5; виручка від DRAM у I кварталі 2026 року зросла більш ніж на 700% у річному вимірі, а глобальна частка ринку збільшилася з 3% до 8%, що зробило компанію четвертим за величиною постачальником DRAM у світі. Хоча китайські компанії ще відстають від великої трійки у HBM, їхнє нарощування потужностей і технологічний прогрес заслуговують на увагу.

Висновок

У межах великої історії суперциклу AI-пам’яті кожен із трьох гігантів пам’яті займає унікальну конкурентну позицію: SK Hynix створила переваги першого гравця та технологічні бар’єри у найціннішому сегменті HBM; Samsung зберігає лідерство за масштабом із найширшою лінійкою продуктів пам’яті та найбільшими виробничими потужностями; Micron, стартуючи з нижчої оцінки та з найамбітнішими очікуваннями переоцінки, пропонує інвесторам інший профіль ризику й винагороди.

Зрештою, інвестиційна цінність може залежати не від того, хто переможе у гонці постачань HBM певного покоління, а від того, хто зможе забезпечити технологічне лідерство, дисципліноване нарощування потужностей і стійкі відносини з клієнтами у процесі еволюції AI-інфраструктури у довгостроковій перспективі. Саме взаємодія цих трьох чинників визначить межі цінності кожної компанії.

The content herein does not constitute any offer, solicitation, or recommendation. You should always seek independent professional advice before making any investment decisions. Please note that Gate may restrict or prohibit the use of all or a portion of the Services from Restricted Locations. For more information, please read the User Agreement
Вподобати контент