Samsung використовує 2-нм техпроцес для базового кристала HBM5, щоб збільшити швидкість на 50%

Samsung Electronics оголосила 27-го, що застосує 2-нано метровий ливарний (foundry) процес із структурою Gate-All-Around (GAA) до базового кристалу HBM5 — пам’яті наступного покоління High Bandwidth Memory. Компанія повідомила через свою напівпровідникову newsroom, що робоча швидкість HBM5, як очікується, буде більш ніж на 50% вища за попереднє покоління HBM4E, і що вона готує передові процеси для підвищення швидкості та енергоефективності. Базовий кристал — це логічний напівпровідник, розташований у нижній частині стеку структури HBM, який з’єднує дані між зовнішніми процесорами на кшталт GPU та CPU і самою HBM. Після того, як HBM4 почав використовувати ливарні процеси, базовий кристал став ключовим компонентом, що визначає загальну продуктивність і енергоефективність продукту.

Samsung відвантажила HBM4 і HBM4E з процесом на 4 нм

Samsung Electronics відвантажила перший у світі HBM4 для серійного виробництва в лютому, а в травні — зразки HBM4E на 12 шарів. Базові кристали HBM4 і HBM4E використовують 4-нано метровий процес 4-го покоління Samsung Foundry, який уже третій рік перебуває в масовому виробництві.

Samsung застосувала високощільні та надвисокопродуктивні пристрої до базового кристалу HBM4E

Гу Джа-хим, віцепрезидент і керівник напрямку розвитку технологій у Samsung Electronics Foundry Business, пояснив, що для досягнення високошвидкісної роботи 14 Гбіт/с або більше до базового кристалу HBM4E застосували високощільні пристрої та надвисокопродуктивні пристрої. Шари металевої розводки були ефективно розташовані для зниження споживання енергії, а також оптимізувалися шляхи відведення тепла.

Samsung підкреслює «під ключ» здатність інтегрувати пам’ять, ливарне виробництво та пакування

Samsung Electronics наголосила на своїй здатності «під ключ», яка передбачає внутрішнє виробництво пам’яті, ливарне виробництво та передове пакування. Структура передбачає, що Memory Business виготовляє основні кристали, Foundry Business — базові кристали, а пакувальна організація збирає їх у готові продукти. За даними компанії, це дає змогу спільно оптимізувати швидкість, енергоспоживання, відведення тепла та вихід придатної продукції вже на етапі проєктування. Samsung заявила, що під час розробки базового кристалу HBM4 було сформовано міждивізійну цільову групу, яка досягла цілей за продуктивністю та виходом придатної продукції з першого зразка, при цьому потрібно було приблизно три місяці від підготовки процесу до підтвердження результату.

Samsung почала виробництво 2 нм і планує запуск мобільних продуктів 2-нм 2-го покоління

Samsung Electronics розширює сфери застосування передових ливарних процесів — від мобільних рішень до ШІ, високопродуктивних обчислень (HPC), автомобільної галузі та робототехніки. Компанія почала масове виробництво процесу свого 2-нано метрового 1-го покоління в другій половині минулого року. У другій половині цього року вона планує розпочати масове виробництво мобільних продуктів на основі 2-нано метрового процесу 2-го покоління з покращеними показниками виходу придатної продукції та продуктивності. Крім того, Samsung розширює one-stop рішення, що поєднують передове пакування та HBM, і працює над розвитком технологій на базі кремнієвої фотоніки та ко-пакетної оптики (CPO) для центрів обробки даних. Спираючись на досвід із базовим кристалом на 4 нм, накопичений у HBM4, Samsung планує завчасно застосувати 2-нано метровий процес до HBM5, щоб посилити лідерство в технологіях на ринку ШІ-напівпровідників.

FAQ

Який ливарний процес Samsung застосує до базового кристалу HBM5?

Samsung Electronics оголосила 27-го, що застосує 2-нано метровий ливарний процес із структурою Gate-All-Around (GAA) до базового кристалу HBM5. Компанія заявила, що робоча швидкість HBM5, як очікується, буде більш ніж на 50% вища за HBM4E.

Коли Samsung відвантажила продукти HBM4 і HBM4E?

Samsung Electronics відвантажила перший у світі HBM4 для серійного виробництва в лютому та відвантажила зразки HBM4E на 12 шарів у травні. Базові кристали обох продуктів використовують 4-нано метровий процес 4-го покоління Samsung Foundry.

Які строки виробництва Samsung для процесу на 2 нм?

Samsung Electronics почала масове виробництво свого 2-нано метрового процесу 1-го покоління в другій половині минулого року. Компанія планує розпочати масове виробництво мобільних продуктів на основі 2-нано метрового процесу 2-го покоління з покращеними показниками виходу придатної продукції та продуктивності в другій половині цього року.