Samsung, SK Hynix переоцінюють технологію гібридного з'єднання для HBM наступного покоління

2026-07-06 03:31:00

За даними корейських ЗМІ, Samsung Electronics та SK Hynix переглядають терміни впровадження технології гібридного з'єднання (hybrid bonding) у пам'яті наступного покоління з високою пропускною здатністю (HBM). Потенційна затримка пов'язана зі зниженням попиту на зменшення товщини та покращення теплових характеристик у застосуваннях HBM. Обидві компанії окремо розробляють альтернативні теплові рішення — HPB та iHBM, які планується інтегрувати в продукти HBM5. Аналітики галузі зазначають, що гібридне з'єднання, ймовірно, залишиться критично важливим довгостроковим технологічним напрямком, оскільки кількість контактів I/O у HBM продовжує зростати.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

16год тому

Президент Лі скликає нараду з подальших дій щодо інвестицій у напівпровідники 6 липня

16год тому

Форвардна оцінка KOSPI падає нижче 7,0x вперше з часів кризи 2008 року після двотижневого спаду

07-05 02:25

Samsung звітуватиме про прибутки за Q2 7 липня, SK Hynix розміщує ADR на Nasdaq 10 липня

07-04 08:53

Samsung Electronics, SK Hynix впали більш ніж на 14% за перші два дні липня

Поглиблений аналіз

SK Hynix інвестує 5–10 трильйонів вон щотижня на ринку облігацій з червня

Lucas Bennett14год тому