2026年7月15日，三星電子被爆計劃於京畿道器興園區新建一座月產能達10萬片晶圓的DRAM工廠，總投資高達數十兆韓元。人工智慧正從根本層面重塑全球記憶體晶片的供需結構與定價邏輯。
DRAM（動態隨機存取記憶體）作為AI基礎設施的核心組件，正經歷一場由需求結構突變所驅動的週期重構。這場重構與傳統記憶體週期截然不同：它並非由消費性電子換機潮推動，而是源自AI訓練與推理對高頻寬記憶體的爆發式需求。理解這一輪DRAM週期的演進邏輯，對於掌握半導體產業走向與數位資產市場底層基礎設施的變化，具有重要的參考意義。
供需缺口擴大至近15年高點
截至2026年7月，全球記憶體晶片漲價已連續第三個季度。瑞銀於7月初發布的報告大幅上調記憶體價格預期，預計第三季度DDR合約價格季增32%，第四季度季增18%。該行認為，DRAM產業供需緊張至少將持續至2028年上半年。
這一判斷獲得多組數據交叉驗證。TrendForce集邦諮詢數據顯示，2026年第三季度整體DRAM市場持續極度緊缺，合約價預計季增13%至18%。摩根士丹利於7月7日的報告中，將PC DRAM混合平均售價季增幅預期由先前的3%-8%大幅上調至15%-20%，伺服器DRAM則上調至13%-18%。
供需失衡的深度正逼近歷史極值。瑞銀分析指出，若不考慮下游客戶庫存回補的緩衝效應，2027年實際供需缺口將從2026年的-8.1%進一步擴大至-13.6%，失衡程度達到過去30年來罕見水準。高盛研報判斷，目前全球記憶體供需失衡已達近15年高點。KB證券分析師金東元更預測，2027年將是記憶體半導體產業70年歷史中供給最緊缺的時期。
價格上行已從上游原廠傳導至全產業鏈。三星電子計劃於2026年第三季度將通用DRAM平均售價季增20%，LPDDR行動端記憶體漲幅同樣超過20%。據第一財經報導，已有消費性電子終端廠商收到三星關於DRAM調漲的口頭通知。
HBM成為DRAM週期的結構性變數
理解本輪DRAM週期的關鍵，在於HBM（高頻寬記憶體）這一品類的崛起。HBM透過多層DRAM晶片垂直堆疊實現超高頻寬，是AI GPU不可或缺的記憶體解決方案。
需求端爆發力驚人。SEMI中國總裁馮莉明確指出，2026年HBM市場規模預計成長58%至546億美元，佔DRAM市場近四成。儘管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增產能傾斜至HBM，整體產能缺口仍高達50%至60%。Omdia數據顯示，2026年全球HBM產量預計年增103%，實現倍數以上成長。
HBM對DRAM產能的「擠出效應」是供需失衡的核心機制。據產業數據，HBM在DRAM晶圓產能中的占比已從2020年的2%攀升至2026年預估的25%。一片HBM晶圓消耗的產能約等同三片DDR5。單顆HBM晶片的尺寸比一般DRAM晶片大兩倍以上，在相同儲存容量下，HBM所消耗的晶圓面積與無塵室空間至少是一般DRAM的三倍。
產能傾斜的直接結果是通用DRAM供給的結構性收縮。KB證券預計，全球DRAM晶圓產量中HBM的占比將從2026年的15%擴大至2027年的34%。這意味著多數新增產能將集中於HBM，通用型DRAM的供給擴張實質上受到有效限制。
AI伺服器已成為DRAM最大應用市場，伺服器需求占整體DRAM需求比重突破50%。AI伺服器DRAM單台用量為一般伺服器的8至10倍。單台伺服器平均DRAM搭載量預計將從2025年的1,032 GB增至2026年的1,432 GB，增幅約39%。TrendForce估計，2026年全球約七成高階記憶體產能流向AI數據中心。
三大巨頭的產能競賽與市占博弈
在HBM驅動的新週期中，SK海力士、三星電子與美光三大巨頭的策略選擇正重塑產業格局。
SK海力士目前是HBM市場的絕對領導者。Counterpoint Research數據顯示，2026年第一季度全球HBM市場以營收計算，SK海力士以58%市占率穩居第一，三星電子與美光各占21%。法人預測，SK海力士2026年HBM營收可達59.5億美元。公司2026年全年HBM產能已被雲端廠商以長期協議全額鎖定。
但領先優勢正面臨挑戰。韓國投資證券7月13日報告預測，SK海力士第二季度營收為80.9兆韓元（年增264%），營業利益60.4兆韓元（年增556%），但較市場共識的65兆韓元低約8%。主要原因是HBM銷售市占高於競爭對手，導致平均售價漲幅低於市場平均。分析師預計，從第三季度HBM4開始全面量產後，平均售價漲幅將回歸市場均值。
三星電子正全力追趕。公司計劃於2026年在設備投資與研發上投入超過110兆韓元（約733億美元），較去年成長約22%。7月15日最新消息顯示，三星計劃於器興園區新建月產能10萬片晶圓的DRAM工廠，最快可能於2026年第三季度動工。
在HBM4產品上，三星已率先實現全球首次量產出貨。TrendForce於6月報告中指出，三大HBM4原廠驗證進度已出現明顯分歧，三星在驗證中處於領先地位。三星預計2026年HBM銷售額將較去年成長三倍以上。
美光雖然在三家廠商中HBM產能最小，但成長勢頭最為迅猛。公司2026財年第三季（截至5月）營收達414.6億美元，年增346%。DRAM業務貢獻營收313億美元，占總營收76%。毛利率達84.9%，反超輝達。
更令市場矚目的是第四季展望：營收預計約500億美元，毛利率約86%，每股收益約31美元。美光2026年全年HBM產能已在固定價格合約下售罄。公司設備投資計劃較去年大幅成長超過90%。
從週期到結構：DRAM的長期邏輯切換
本輪DRAM行情與過往所有週期最根本的差異在於驅動力的結構性轉變。
IDC預計2026年全球DRAM市場營收達4,186億美元，年增177%。NAND市場營收達1,741億美元，年增138.5%。記憶體產業全年總產值突破5,500億美元，伺服器儲存取代手機成為最大需求場景。瑞銀認為價格上漲將帶動記憶體產業於2026年實現9,920億美元營收。
這一輪成長並非簡單的週期性復甦。IDC明確指出，這不是傳統記憶體漲跌週期中的又一次上行，而是產業的結構性變革。超大規模數據中心客戶正在購買一種完全不同且更昂貴的記憶體晶片，並願意為確保供應支付溢價。
供給端的約束同樣具有結構性特徵。2025年產業深度虧損後，原廠普遍採取控產保價策略。半導體先進製程研發、晶圓廠建設週期漫長，疊加人才、能源、審批等多重壁壘，新增產能無法快速落地。美光高層判斷，產業供給緊張格局將持續至2027年後，2028年才會迎來供給端逐步改善。
長期協議（LTA）的普及正改變產業的定價與獲利模式。SK海力士、三星、美光均以長期供應協議方式，向輝達等主要客戶鎖定未來1至2年的供貨量與價格。美光已簽署16份涵蓋數據中心、消費性電子、汽車領域的長期供貨協議，僅已簽約協議的保底最低收入就高達1,000億美元。韓國投資證券指出，隨著記憶體產業轉向3至5年的長期協議結構，企業價值取決於高獲利能力能持續多久，而非季度平均售價成長率。
結語
AI伺服器需求正將DRAM產業推入一個前所未有的新週期。這個週期的核心特徵並非單純的價格上漲，而是需求結構、產能分配、定價模式與產業格局的系統性重構。
HBM的崛起改變了DRAM的產品矩陣，三大巨頭的產能傾斜造成通用DRAM的結構性短缺，長期協議的普及正平滑產業的週期性波動。瑞銀預計DRAM供需緊張至少持續至2028年上半年，KB證券預測2027年將是產業70年歷史中最緊缺的時期——這些判斷指向同一個結論：本輪DRAM週期的持續時間與強度，可能遠超市場最初的預期。
對於投資者而言，理解DRAM從「週期品」向「策略資產」的轉變，或許比預測下一個季度的價格漲幅更具長期價值。當記憶體晶片成為AI時代的核心基礎設施，其供需邏輯與定價權分配，將深刻影響從半導體到數位資產的整個科技產業鏈。
FAQ
問：AI伺服器對DRAM的需求量比一般伺服器高多少？
AI伺服器DRAM單台用量為一般伺服器的8至10倍。單台伺服器平均DRAM搭載量預計從2025年的1,032 GB增至2026年的1,432 GB。大型模型推理與AI代理規模化將進一步推動記憶體需求高速成長。
問：HBM與傳統DRAM在生產成本上有何差異？
HBM由多層DRAM晶片垂直堆疊而成，單顆晶片尺寸比一般DRAM大兩倍以上，在相同儲存容量下所消耗的晶圓面積與無塵室空間至少是一般DRAM的三倍。一片HBM晶圓消耗的產能約等同三片DDR5。高生產成本也對應高毛利——單顆HBM毛利率達60%-70%，是一般DRAM的4倍。
問：DRAM供需緊張預計何時緩解？
瑞銀認為DRAM產業供需緊張至少持續至2028年上半年。KB證券預測供給短缺很可能持續至至少2028年。美光高層判斷產業供給緊張格局將持續至2027年後，2028年才會迎來供給端逐步改善。三大機構的核心分歧不在「是否緊張」，而在「緊張多久」。
問：HBM市場三巨頭的市占格局如何？
2026年第一季度，SK海力士以58%營收市占率穩居第一，三星電子與美光各占21%。法人預測全年出貨市占率方面，SK海力士約52%，三星約39%，美光約8%。在HBM4領域，Counterpoint Research預計SK海力士2026年市占率約54%，三星約28%，美光約18%。三星在HBM4驗證進度上處於領先地位。
問：DRAM漲價對消費性電子終端價格有何影響？
DRAM漲價已從上游原廠傳導至消費性電子終端。據產業分析，PC與智慧型手機品牌預計將陸續調漲產品售價15%至20%。華強北等分銷市場出現「一天三價」現象，經銷商建議非剛需暫緩採購。汽車製造商也開始重新評估部分智慧駕駛功能配置以控制零組件成本。
