根據慕尼黑地方法院（Landgericht München I），Infineon 於 6 月 19 日在一宗專利侵權案件中勝訴，對象為 GaN Semiconductor。法院裁定，被告必須停止在德國製造與銷售侵權的氮化鎵產品，並支付損害賠償。依據 Infineon，此裁決意味著在這起專利爭議系列中，GaN Semiconductor 已連續遭遇第三次與第四次的法律敗訴。這與中國最高人民法院近期的一項裁決形成對比：該裁決認定 Infineon 侵害了 GaN Semiconductor 的專利，並命令其支付 1000 萬人民幣損害賠償及停止在中國銷售。
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