根據韓國媒體報導，三星電子和 SK 海力士正在重新評估在次世代高頻寬記憶體（HBM）中導入混合鍵合技術的時間表。此潛在延遲源於 HBM 應用對厚度減少與熱效能改善的需求降低。兩家公司正分別開發替代性熱解決方案——HPB 與 iHBM——規劃整合至 HBM5 產品中。業界分析師指出，隨著 HBM I/O 引腳數持續增加，混合鍵合預計仍將是重要的長期技術路徑。
免責聲明：本頁面資訊可能來自第三方來源，僅供參考，不代表 Gate 的立場或觀點，亦不構成任何財務、投資或法律建議。虛擬資產交易具有高風險，請勿僅依賴本頁資訊作出決策。詳情請參閱
免責聲明。
