〈門戶新聞〉快訊，4月23日——台積電展示了新的製造與封裝技術，旨在讓晶片更小、更快，同時宣布它將繼續使用既有的 ASML EUV 設備，而不是採用更新的 High-NA 曝光工具。
該公司的 A13 製程目標在 2029 年進入量產，而 N2U 則代表一種較低成本的方案，適用於智慧型手機、筆記型電腦與 AI 晶片。到 2028 年，台積電希望能封裝 10 顆大型晶片並配置 20 個記憶體堆疊；相較之下，Nvidia 的 Vera Rubin 設計包含兩顆運算晶片與八個記憶體堆疊。
這項決策與競爭對手加速推進 High-NA 技術形成對比。Intel 已安裝 ASML 的 Twinscan EXE:5200B High-NA 系統，並預期在 2027 年進行風險量產、在 2028 年實現量產出貨。Samsung 於 2025 年下半年取得第一台 High-NA 掃描儀、並在 2026 年上半年取得第二台；SK Hynix 則在 2025 年 9 月安裝了一台 High-NA EUV 工具。台積電的選擇反映的是成本與風險考量，而非完全否定 High-NA EUV 技術。
分析師指出，包括散熱管理、材料膨脹與龜裂等挑戰仍未解決。ASML 在 EUV 系統方面維持近乎壟斷的地位，而 ZEISS SMT、Lam Research 與 Applied Materials 被定位為將受益於這波支出浪潮。受出口限制影響，中國晶片製造商 SMIC 仍無法購買 EUV 工具。
