美光于7月4日破土动工93亿美元的日本内存厂扩建项目

据彭博社报道，美光科技于 7 月 4 日为其位于日本广岛的工厂破土动工，投资 1.5 万亿日元（93 亿美元）进行扩建，以生产包括用于 AI 处理器的高带宽内存（HBM）在内的先进存储芯片。日本经济产业省为该项目拨款高达 5000 亿日元（31 亿美元），日本政府总计承诺向美光提供约 7750 亿日元（48 亿美元）的支持。

新工厂预计将于 2028 年夏季左右开始出货，生产将专注于使用极紫外（EUV）技术制造先进 DRAM 和 HBM。