据财新报道,6月25日,三星、SK海力士和美光在美国加州北区联邦地区法院面临一起集体反垄断诉讼,指控三家芯片制造商自2022年起串通操纵DRAM供应和定价,四年内将内存价格推高约700%。原告——14名个人消费者和三家小型企业——声称,这些公司以转向高带宽内存(HBM)生产为借口,人为减少DDR3和DDR4供应。如果胜诉,被告需支付三倍赔偿,并可能扩大至所有购买含DRAM产品的消费者和企业。三星和SK海力士此前曾因21世纪初的价格操纵计划受到美国处罚;三星在2005年支付了3亿美元的刑事罚款。
免责声明:本页面信息可能来自第三方,仅供参考,不代表 Gate 的观点或意见,亦不构成任何财务、投资或法律建议。数字资产交易风险较高,请勿仅依赖本页面信息作出决策。具体内容详见
声明。