SK Hynix 计划到 2029 年投资 80 万亿韩元建设新 NAND 工厂

SK Hynix 周四宣布，根据其 CEO 和韩国总统李在明出席的活动，该公司计划投资 80 万亿韩元（约 514.6 亿美元）建设新的 NAND 闪存制造设施。该公司将于明年在韩国清州开始建设 M17 工厂，预计 2029 年投入运营。

此外，SK Hynix 计划在同一地点投资 20 万亿韩元建设新的芯片封装设施，预计 2027 年底完工。