据 SK hynix 称，该公司已向客户供应其新型 HBM4E 高带宽内存的 12 层样品。12 层产品可提供 48GB 容量，并且每个引脚最高可达 16Gbps（千兆比特每秒），与 HBM4 相比能效提升超过 20%。SK hynix 还推出了其大规模重回流模塑填充（molded underfill）工艺，该工艺可提高结构稳定性，并在推进量产的过程中将热阻降低约 17%。
SK hynix 在 2025 年第二季度的全球 HBM 出货中占据 62% 的份额。Nvidia 已为其 Vera Rubin 平台认证了三家 HBM4 内存供应商，预计初始系统出货将在 2026 年下半年开始。
