据路透社报道，Tower Semiconductor 今天（7 月 14 日）宣布一项 30 亿美元的投资，以扩大其在日本的芯片制造能力；其中有 10 亿美元资金来自日本政府。该公司将分两阶段提升 300mm 硅光子器件产能。第一阶段包括升级其 Fab 6 工厂，预计将于 2027 年第四季度开始满产。第二阶段与第一阶段并行启动，将包括在其 Fab 7 工厂旁新建一座 300mm 流片（光刻）工厂。
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