أعلنت شركة Samsung Electronics في 27 من الشهر أنها ستطبق عملية مسبك مقاس 2 نانومتر مع بنية Gate-All-Around (GAA) على الشريحة الأساسية لـ HBM5، ذاكرة النطاق الترددي العالي من الجيل التالي. وذكرت الشركة عبر قسمها الإخباري المتخصص بالـ semiconductors أن سرعة تشغيل HBM5 يُتوقع أن تكون أسرع بأكثر من 50% من الجيل السابق HBM4E، وأنها تستعد لعمليات متقدمة لتعزيز السرعة وكفاءة استهلاك الطاقة. وتُعد الشريحة الأساسية عبارة عن شريحة منطقية للـ semiconductor تقع في الجزء السفلي من بنية مكدس HBM، وتعمل على ربط البيانات بين معالجات خارجية مثل GPUs وCPUs وHBM. وقد برزت كمكوّن محوري يحدد الأداء العام وكفاءة الطاقة للمنتجات منذ أن بدأت HBM4 استخدام عمليات مسبك.
شحن Samsung HBM4 وHBM4E بعملية 4nm
شحنت Samsung Electronics أول HBM4 في العالم للإنتاج الضخم في فبراير، تلتها عينات HBM4E ذات 12 طبقة في مايو. تستخدم الشرائح الأساسية لـ HBM4 وHBM4E عملية Samsung Foundry بمقاس 4 نانومترات، الجيل الرابع، والتي دخلت عامها الثالث من الإنتاج الضخم.
طبقت Samsung أجهزة عالية الكثافة وعالية الأداء للغاية على شريحة HBM4E الأساسية
وأوضح Gu Ja-heum، نائب الرئيس ورئيس تطوير التكنولوجيا لدى Samsung Electronics Foundry Business، أنه تم تطبيق أجهزة عالية الكثافة وأجهزة عالية الأداء للغاية على الشريحة الأساسية لـ HBM4E لتحقيق تشغيل عالي السرعة بسرعة 14Gbps أو أعلى. وتم ترتيب طبقات الأسلاك المعدنية بكفاءة لتقليل استهلاك الطاقة، كما جرى تحسين مسارات تبديد الحرارة.
تسلط Samsung الضوء على القدرة الجاهزة الشاملة لدمج الذاكرة والمسبك والتغليف
أكدت Samsung Electronics قدرتها الجاهزة الشاملة عبر استيعاب الذاكرة والمسبك والتغليف المتقدم داخلياً. وتتضمن البنية قيام Memory Business بإنتاج الشرائح الأساسية، وFoundry Business بإنتاج الشرائح الأساسية (base dies)، ومن ثم يقوم تنظيم التغليف بتجميعها في منتجات نهائية. ووفقاً للشركة، يتيح ذلك تحسيناً مشتركاً للسرعة والطاقة والحرارة والعائد منذ مرحلة التصميم. وأشارت Samsung إلى أنه خلال تطوير الشريحة الأساسية لـ HBM4، تم تشكيل فريق عمل عبر الأقسام، ما أتاح تحقيق أهداف الأداء والعائد من العينة الأولى، مع الحاجة إلى نحو ثلاثة أشهر من تجهيز العملية حتى تأكيد النتائج.
بدأت Samsung إنتاج 2nm وتخطط لإطلاق منتج محمول 2nm من الجيل الثاني
تقوم Samsung Electronics بتوسيع مجالات تطبيق عمليات مسبك متقدمة من الهاتف المحمول إلى AI والحوسبة عالية الأداء (HPC) والسيارات والروبوتات. بدأت الشركة الإنتاج الضخم لعملية الجيل الأول البالغة 2 نانومتر في النصف الثاني من العام الماضي. وفي النصف الثاني من هذا العام، تخطط لبدء الإنتاج الضخم للمنتجات المحمولة المبنية على عملية الجيل الثاني البالغة 2 نانومتر، مع تحسين العائد والأداء. إضافة إلى ذلك، توسّع Samsung حلولاً متكاملة من نقطة واحدة تربط التغليف المتقدم وHBM، وتسعى لتطوير تقنيات تعتمد على التصوير الضوئي السيليكون وOptics مدمجة في التغليف (CPO) لمراكز البيانات. وبناءً على تجربة الشريحة الأساسية البالغة 4 نانومترات التي تراكمت مع HBM4، تخطط Samsung لتطبيق عملية 2 نانومتر بشكل استباقي على HBM5 لتعزيز ريادتها التقنية في سوق أشباه الموصلات الخاصة بالـ AI.
الأسئلة الشائعة
ما عملية المسبك التي ستطبقها Samsung على الشريحة الأساسية لـ HBM5؟
أعلنت شركة Samsung Electronics في 27 من الشهر أنها ستطبق عملية مسبك مقاس 2 نانومتر مع بنية Gate-All-Around (GAA) على الشريحة الأساسية لـ HBM5. وذكرت الشركة أن سرعة تشغيل HBM5 يُتوقع أن تكون أسرع بأكثر من 50% من HBM4E.
متى شحنت Samsung منتجات HBM4 وHBM4E؟
شحنت Samsung Electronics أول HBM4 في العالم للإنتاج الضخم في فبراير، وشحنت عينات HBM4E ذات 12 طبقة في مايو. تستخدم الشرائح الأساسية لكلا المنتجين عملية Samsung Foundry بمقاس 4 نانومترات، الجيل الرابع.
ما الجدول الزمني لإنتاج عملية 2nm لدى Samsung؟
بدأت Samsung Electronics الإنتاج الضخم لعملية الجيل الأول البالغة 2 نانومتر في النصف الثاني من العام الماضي. وتخطط الشركة لبدء الإنتاج الضخم للمنتجات المحمولة المبنية على عملية الجيل الثاني البالغة 2 نانومتر، مع تحسين العائد والأداء، في النصف الثاني من هذا العام.
