Infineon remporte une affaire de brevet GaN en Allemagne ; GaN Technologies fait face à une interdiction de vente et à des dommages-intérêts

D’après le tribunal régional de Munich (Landgericht München I), Infineon a remporté aujourd’hui (19 juin) deux affaires pour violation de brevets de nitrure de gallium (GaN) contre GaN Technologies. Le tribunal a interdit à GaN Technologies de fabriquer, vendre et commercialiser des produits contrefaisants en Allemagne, et a ordonné à l’entreprise de verser des dommages et intérêts à Infineon.

La décision contraste fortement avec une décision d’un tribunal chinois rendue la semaine dernière, dans laquelle Infineon a été condamné à payer à GaN Technologies 10 millions de yuans de dommages et intérêts, tout en faisant face à des restrictions de vente en Chine pour certains produits GaN. Ces deux verdicts mettent en lumière la persistance du litige mondial en matière de brevets entre ces rivaux du secteur des semi-conducteurs, dans plusieurs juridictions.