ตามรายงานของ BlockTempo เมื่อวันที่ 25 มิถุนายน กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ได้ลงนามในหนังสือแสดงเจตจำนงเมื่อเดือนธันวาคม 2025 โดยให้คำมั่นว่าจะลงทุนสูงสุด 150 ล้านดอลลาร์ใน xLight ผ่าน CHIPS Act และรับหุ้นโดยตรง ซึ่งเป็นธุรกรรมหุ้นครั้งแรกของสำนักงานวิจัยและพัฒนา CHIPS ที่ตั้งขึ้นใหม่ภายใต้รัฐบาลทรัมป์ Pat Gelsinger อดีตซีอีโอของ Intel ดำรงตำแหน่งประธานกรรมการบริหารของบริษัท
กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ลงนามหนังสือแสดงเจตจำนง ถือหุ้นใน xLight
รัฐมนตรีกระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ กล่าวในแถลงการณ์ของหนังสือแสดงเจตจำนงว่า "เป็นเวลานานที่สหรัฐฯ ได้มอบความเป็นผู้นำด้านการพิมพ์หินด้วยแสงขั้นสูงให้กับผู้อื่น ภายใต้การนำของประธานาธิบดีทรัมป์ วันเหล่านั้นสิ้นสุดลงแล้ว" รวมกับเงินทุนของรัฐบาลกลาง จนถึงปัจจุบัน xLight ระดมทุนได้รวมประมาณ 200 ล้านดอลลาร์ และยังมีคำมั่นสัญญาการจัดหาเงินทุนโครงการแบบไม่มีผลผูกพันสูงสุด 4.2 พันล้านดอลลาร์สำหรับการก่อสร้างโรงงานในอนาคต
Playground Global ซึ่งเป็น VC ที่ Pat Gelsinger สังกัดอยู่ ได้นำการลงทุนใน xLight รอบ Series B มูลค่า 40 ล้านดอลลาร์ในเดือนกรกฎาคม 2025 แผนการระดมทุน 350 ล้านดอลลาร์ครั้งนี้ได้เชิญ ASML, TSMC, Intel และ Micron ร่วมลงทุนด้วย แต่สถานะการเข้าร่วมของแต่ละฝ่ายยังไม่เปิดเผย Pat Gelsinger ซึ่งดำรงตำแหน่งใน Intel มาหลายสิบปี เป็นหนึ่งในผู้ผลักดันสำคัญที่ทำให้ CHIPS Act ผ่านในปี 2022
ซีอีโอของ ASML เปิดเผยว่ากำลังร่วมมือกับ xLight ในการตรวจสอบทางเทคนิค
แหล่งกำเนิดแสง EUV ปัจจุบันของ ASML ใช้เทคโนโลยี "เลเซอร์เหนี่ยวนำพลาสมา" โดยยิงเลเซอร์กำลังสูงหลายหมื่นครั้งต่อวินาทีไปยังหยดดีบุกหลอมเหลวเพื่อปล่อยแสง EUV ที่ความยาวคลื่น 13.5nm เครื่องรุ่นล่าสุดมีราคา 300 ถึง 400 ล้านดอลลาร์ต่อเครื่อง xLight ใช้แนวทาง "เลเซอร์อิเล็กตรอนอิสระ" โดยใช้เครื่องเร่งอนุภาคขนาดเล็กเร่งอิเล็กตรอนให้ใกล้ความเร็วแสง จากนั้นให้อิเล็กตรอนความเร็วสูงผ่านแม่เหล็กที่สลับกัน อิเล็กตรอนจะแกว่งตัวในสนามแม่เหล็กและปล่อยแสง EUV ออกมา โดยไม่ต้องยิงหยดดีบุก
xLight อ้างว่าวิธีนี้สามารถให้ความยาวคลื่น 2nm (เทียบกับ 13.5nm ของเครื่อง ASML ปัจจุบัน) และจะช่วยลดต้นทุนการผลิตชิป AI ขั้นสูงลงอย่างมาก การวางตำแหน่งของ xLight คือการเจาะเข้าไปในเครื่องของ ASML ในฐานะซัพพลายเออร์แหล่งกำเนิดแสง แทนที่จะแข่งขันในธุรกิจเครื่องจักรทั้งหมด Fouquet ซีอีโอของ ASML ได้แถลงต่อสาธารณะว่า "ASML กำลังร่วมมือกับ xLight ในการตรวจสอบทางเทคนิค" xLight กำลังก่อสร้างโรงงานต้นแบบแห่งแรกใน Albany NanoTech Park โดยมีเป้าหมายให้แหล่งกำเนิดแสงที่ใช้งานได้เครื่องแรกเริ่มดำเนินการในปี 2028 ซึ่งอีกกว่าสองปีนับจากนี้
ผู้เชี่ยวชาญด้านเซมิคอนดักเตอร์ Fred Chen: ปัญหาความเข้ากันได้ของวัสดุระหว่าง EUV กำลังสูงกับ Pellicle และ Photoresist ยังไม่มีวิธีแก้ไขที่เปิดเผยต่อสาธารณะ
Fred Chen จากฟอรัมเซมิคอนดักเตอร์ SemiWiki ชี้ให้เห็นถึงข้อขัดแย้งหลักโดยตรง: "กำลัง EUV ที่สูงขึ้นย่อมไม่เข้ากันกับ Pellicle อย่างแน่นอน และมีแนวโน้มสูงที่จะไม่เข้ากันกับ Photoresist เช่นกัน" Pellicle เป็นฟิล์มป้องกันบางเฉียบที่ติดบน Reticle (Photomask) เพื่อป้องกันฝุ่นละอองทำลายผลผลิตของเวเฟอร์ Photoresist คือสารเคลือบไวแสงที่ทาบนเวเฟอร์ ทำหน้าที่ถ่ายโอนรูปแบบวงจร เมื่อกำลังสูงเกินไป Pellicle จะถูกเผาไหม้ และปฏิกิริยาเคมีของ Photoresist อาจควบคุมไม่ได้ ทั้งสองปัญหานี้ยังไม่มีวิธีแก้ไขที่เปิดเผยต่อสาธารณะในขณะนี้
xLight ระบุว่าโมเดลธุรกิจของบริษัทสร้างขึ้นบนสมมติฐานที่ว่า "ความยาวคลื่น 2nm สามารถให้กำลังสูงและคงความเข้ากันได้กับวัสดุ" ซึ่งสมมติฐานนี้ยังคงเป็นเพียงการอ้างสิทธิ์ ยังไม่ใช่ข้อเท็จจริงที่ผ่านการตรวจสอบ
คำถามที่พบบ่อย
ความแตกต่างหลักระหว่างเลเซอร์อิเล็กตรอนอิสระของ xLight กับเทคโนโลยีปัจจุบันของ ASML คืออะไร
ASML ใช้เทคโนโลยี "เลเซอร์เหนี่ยวนำพลาสมา" โดยยิงเลเซอร์ไปยังหยดดีบุกหลอมเหลวเพื่อปล่อยแสง EUV ที่ 13.5nm เครื่องรุ่นล่าสุดมีราคา 300 ถึง 400 ล้านดอลลาร์ xLight ใช้ "เลเซอร์อิเล็กตรอนอิสระ" โดยให้อิเล็กตรอนความเร็วสูงผ่านแม่เหล็กสลับกันเพื่อปล่อยแสง EUV โดยอ้างว่าสามารถให้ความยาวคลื่น 2nm และวางตำแหน่งเป็นซัพพลายเออร์แหล่งกำเนิดแสงสำหรับเครื่อง ASML แทนที่จะแข่งขันด้านเครื่องจักรทั้งหมด
โครงสร้างการลงทุนของรัฐบาลสหรัฐฯ ใน xLight เป็นอย่างไร
กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ได้ลงนามในหนังสือแสดงเจตจำนงเมื่อเดือนธันวาคม 2025 โดยให้คำมั่นว่าจะลงทุนสูงสุด 150 ล้านดอลลาร์ใน xLight ผ่าน CHIPS Act และรับหุ้นโดยตรง ซึ่งเป็นธุรกรรมหุ้นครั้งแรกของสำนักงานวิจัยและพัฒนา CHIPS ภายใต้รัฐบาลทรัมป์ รวมกับการระดมทุนก่อนหน้านี้ xLight ระดมทุนได้รวมประมาณ 200 ล้านดอลลาร์ และมีคำมั่นสัญญาการจัดหาเงินทุนโครงการแบบไม่มีผลผูกพันสูงสุด 4.2 พันล้านดอลลาร์
xLight เผชิญกับความท้าทายด้านวัสดุศาสตร์ใดบ้างที่ได้รับการระบุแล้ว
Fred Chen จาก SemiWiki ชี้ให้เห็นถึงความขัดแย้งพื้นฐานระหว่าง EUV กำลังสูงกับ Pellicle และ Photoresist ซึ่งยังไม่มีวิธีแก้ไขที่เปิดเผย สมมติฐานหลักของโมเดลธุรกิจ xLight ที่ว่า "ความยาวคลื่น 2nm สามารถให้กำลังสูงและคงความเข้ากันได้กับวัสดุ" ยังคงเป็นเพียงการอ้างสิทธิ์ ยังไม่ใช่ข้อเท็จจริงที่ผ่านการตรวจสอบ โรงงานต้นแบบคาดว่าจะเริ่มดำเนินการในปี 2028
