Samsung ก้าวหน้า 7th-Gen 1D DRAM ระดับ 10nm-Class โดยขนาดเวเฟอร์ลดลงเหลือ 10-11nm

2026-06-17 06:41:22

ตามนักวิจัย Citrini อย่าง Jukan เมื่อวันที่ 17 มิถุนายน Samsung Electronics ได้ประกาศแผนที่จะเดินหน้า การผลิต 1D DRAM รุ่นที่ 7 ในระดับ 10nm โดยมีการนำอุปกรณ์เข้ามาในช่วงครึ่งแรกของปีหน้า และเริ่มการผลิตครั้งแรกได้ตั้งแต่ปลายปีนี้ กระบวนการใหม่นี้ช่วยลดความกว้างไลน์เวเฟอร์จาก 11-12nm ในปัจจุบัน เหลือ 10-11nm ซึ่งจะช่วยยกระดับประสิทธิภาพและประหยัดพลังงาน โดยอุปกรณ์หลักยังอยู่ระหว่างการพัฒนา ขณะที่ Samsung และพาร์ทเนอร์เร่งปรับปรุงอัตราการได้ผลผลิตและประสิทธิภาพ ก่อนที่จะมีการปรับรายละเอียดไทม์ไลน์อีกครั้งภายในสิ้นปี

news.view.source

news.article.disclaimer

news.related.news

4 ชั่วโมง ที่แล้ว

Samsung อยู่ระหว่างการเจรจาเพื่อผลิตซีพียู AMD คาดว่าจะเริ่มการผลิตในปี 2028

5 ชั่วโมง ที่แล้ว

LG Innotek พัฒนาซับสเตรต FC-BGA ขนาด 100mm+ สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI คาดหวังผลลัพธ์ภายในสิ้นปี

7 ชั่วโมง ที่แล้ว

iPhone 18 ของ Apple เตรียมอัปเกรดแรมเป็น 12GB เพิ่มขึ้น 50% จาก iPhone 17

7 ชั่วโมง ที่แล้ว

มูซุโฮ: การติดตั้ง CPO และระบบ 800V อยู่ในไทม์ไลน์สำหรับปี 2028-2029, Spectrum-X จะเริ่มเร่งกำลังการผลิตในปี 2027

19 ชั่วโมง ที่แล้ว