根據《日本時報》報導，日本晶片製造商Kioxia已開始向AI資料中心營運商發送其332層第10代3D NAND快閃記憶體樣品。新款晶片的位元密度比第八代產品提高59%，速度達到4.8 Gb/s，比上一代快約33%，同時輸入功耗降低10%、輸出功耗降低34%。Kioxia位於岩手縣的北上工廠將逐步提升產能，預計2026年上半年達到可觀的出貨量。
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