根據 BlockBeats 報導，美光於 7 月 5 日為其位於日本廣島的 1.5 兆日圓（約 93 億美元）工廠擴建舉行奠基儀式，以因應 AI 驅動的 HBM、DRAM 和 NAND 記憶體的嚴重短缺。該公司預計供應緊張將持續到 2026 年，新產能將從 2027 年起陸續上線。廣島廠將專注於 AI 應用的先進 HBM 晶片，預計 2028 年左右開始生產，並獲得日本政府大額補貼。
美光同時在美國和亞洲進行擴張。在美國，該公司投資約 2000 億美元用於製造與研發，其中包括愛達荷州博伊西一座 500 億美元的設施（預計 2027 年中投產）以及一座新的晶圓廠。新加坡將啟動一座 240 億美元的 NAND 先進晶圓廠，預計 2028 年底開始生產。該公司目標是將約 40% 的全球 DRAM 產能在美國本土生產。
