根據《朝鮮日報》的報導，7 月 27 日三星電子宣布計劃將其 2 奈米製程用於其第八代高頻寬記憶體（HBM5）的基板。該公司表示，HBM5 的資料處理速度將比現行 HBM4E 晶片快超過 50%，並將採用 2nm Gate-All-Around 基板，以及改良的穿透式矽導孔（TSVs），以提升速度與功耗效率。
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