根據路透社報導，Tower Semiconductor 於 7 月 14 日宣布計畫投資 30 億美元於日本的半導體製造營運，其中包含 10 億美元的政府資金。第一階段將大幅擴充其 Fab 6 設施的 300 毫米矽光子產能，並預計於 2027 年第 4 季達到全面量產。第二階段將同步啟動，並在毗鄰 Fab 7 的位置建立一座新的 300 毫米光刻設備製造廠。
免責聲明：本頁面資訊可能來自第三方來源，僅供參考，不代表 Gate 的立場或觀點，亦不構成任何財務、投資或法律建議。虛擬資產交易具有高風險，請勿僅依賴本頁資訊作出決策。詳情請參閱
免責聲明。
