2027 年 DRAM 价格可能继续上涨,HBM 面临 3 倍溢价的利润缺口

根据 Bernstein 在 6 月 22 日的说法,常规 DRAM 的价格已经在每位比特(per-bit basis)上与高带宽存储器(HBM)变得相当,甚至更高。在 2025 年第 3 季度到 2026 年第 2 季度期间,价格上涨了 4.5 倍。分析师指出,由于位密度更高以及良率更高,DRAM 的每晶圆收入大约是 HBM 的两倍,同时利润率也显著更高。

Bernstein 估计,要在每晶圆基础上与常规 DRAM 的创收能力相匹配,HBM 的价格需要上涨大约 3 倍。然而,芯片制造商不太可能追求这种激进的定价,因为过高的 HBM 成本可能会阻碍 AI 生态系统的发展,并最终抑制存储需求。

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