据 BlockBeats 报道，美光于 7 月 5 日为其在日本广岛的 1.5 万亿日元（约 93 亿美元）工厂扩建项目举行了奠基仪式，以应对人工智能驱动的 HBM、DRAM 和 NAND 内存严重短缺。该公司预计供应紧张将持续到 2026 年，新产能将于 2027 年起投产。广岛工厂将专注于用于人工智能应用的先进 HBM 芯片，预计 2028 年左右投产，并得到日本政府的大力补贴支持。
美光同时在美国和亚洲进行扩张。在美国，该公司正投资约 2000 亿美元用于制造和研发，包括爱达荷州博伊西一座预计 2027 年中期投产的 500 亿美元工厂，以及一座新的晶圆厂。新加坡正在建设一座 240 亿美元的 NAND 先进晶圆厂，计划于 2028 年底投产。美光目标是在 2030 年前将约 40% 的全球 DRAM 产能转移至国内。
