SK 海力士推出 3D 堆叠式 DRAM 研究,并于 7 月 24 日招聘工程师,负责边缘 AI 存储相关工作

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据 BlockBeats 报道,7 月 24 日,SK 海力士启动 3D 堆叠 DRAM 设计工程师招聘,并计划与美国客户合作开展技术开发。该韩国芯片制造商正在积极开发 3D 堆叠 DRAM——一种下一代半导体技术,将存储芯片直接堆叠到逻辑半导体之上——并将其定位为生成式 AI 之后时代边缘 AI 设备的核心解决方案。SK 海力士正通过其位于圣何塞的美洲子公司招聘工程师,以推进该技术的开发。
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