据路透社报道，SK 海力士于 7 月 2 日宣布在清州投资 100 万亿韩元（643.8 亿美元），建设新的 NAND 存储工厂和芯片封装设施。该公司将在 2029 年前向 NAND 工厂投入 80 万亿韩元（512 亿美元），并在 2027 年底前向封装设施投入 20 万亿韩元（128 亿美元）。该投资是人工智能相关先进存储芯片需求推动的更大扩张计划的一部分。
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