تواصل سامسونج تطوير 7e جيل من ذاكرة 1D DRAM ضمن فئة 10 نانومترات، وتقلّص عرض الرقاقة إلى 10-11 نانومتر

2026-06-17 06:41:22

وفقاً للباحث في Citrini Jukan، أعلنت شركة Samsung Electronics في 17 يونيو خططاً لدفع إنتاج 1D DRAM من الجيل السابع ضمن فئة 10nm، مع استهداف إدخال المعدات في النصف الأول من العام المقبل، وبدء الإنتاج الأولي في وقت مبكر من نهاية العام. تقلّص العملية الجديدة عرض خط تصنيع الرقائق من 11-12nm حالياً إلى 10-11nm، ما يعزز الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة. ما تزال المعدات الأساسية قيد التطوير، حيث تعمل Samsung والشركاء على تحسين العوائد والأداء قبل إجراء تنقيح أكثر تفصيلاً للجدول الزمني بحلول نهاية العام.

عرض المصدر

إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.

أخبار ذات صلة

منذ 3 س

تجري سامسونغ محادثات لتصنيع معالجات AMD، ومن المتوقع أن تبدأ الإنتاج في 2028

منذ 5 س

طوّرت LG Innotek ركائز FC-BGA بقياس 100 مم أو أكثر لخوادم الذكاء الاصطناعي، وتتوقع النتائج بحلول نهاية العام

منذ 7 س

سيحصل iPhone 18 من Apple على ترقية إلى ذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 12GB، بزيادة قدرها 50% مقارنة بـ iPhone 17

منذ 7 س

ميزوهو: ما يزال نشر CPO وتقنية 800V على المسار الصحيح للفترة 2028-2029، وSpectrum-X سيبدأ في رفع وتيرة الإنتاج في 2027

منذ 19 س

توسّع إمدادات الصين من رقائق السيليكون إلى 54–55 جيغاواط في يونيو، وانخفاض مخزون البطاريات أسبوعياً مقارنةً بالأسبوع السابق

تحليل متعمق