China entwickelt den ersten per RF getesteten Silizium-Graphen-Germanium-Transistor mit 132 GHz Grenzfrequenz am 6. Juni

Laut Science and Technology Daily entwickelte das Institut für Metallforschung der Chinesischen Akademie der Wissenschaften erfolgreich den weltweit ersten Silizium-Graphen-Germanium-Heterojunction-Transistor mit nachgewiesenen Hochfrequenztests am 6. Juni. In RF-Messungen erreichte das Gerät eine intrinsische Grenzfrequenz von 132 GHz und stellte damit einen neuen Rekord für vertikale Transistoren mit zweidimensionaler Basisregion auf. Die in Nature Communications veröffentlichte Studie zeigte außerdem den höchsten Transistor-Stromverstärkungsfaktor, der jemals gemessen wurde. Modellierungsanalysen deuten darauf hin, dass die theoretische Betriebsfrequenz des Geräts 1 THz übersteigen könnte und damit in das Terahertz-Anwendungsband eintritt.
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