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Samsung schreitet bei 10-nm-Klasse 7. Generation 1D-DRAM voran, wobei die Wafer-Breite auf 10–11 nm schrumpft

GateNews
Laut dem Citrini-Forscher Jukan kündigte Samsung Electronics am 17. Juni Pläne an, die Produktion von 1D-DRAM der siebten Generation der 10-nm-Klasse voranzutreiben. Die Einführung der Anlagen ist für die erste Hälfte des nächsten Jahres vorgesehen, die erste Produktion bereits zum Jahresende. Der neue Prozess verringert die Wafer-Leitungsbreite von derzeit 11–12 nm auf 10–11 nm und verbessert so Leistung und Energieeffizienz. Zentrale Ausrüstungen befinden sich weiterhin in der Entwicklung; Samsung und Partner optimieren Erträge und Performance, bevor bis zum Jahresende eine detailliertere Zeitplanung nachgeschärft wird.
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