Los dos gigantes de la memoria en China invierten 63 mil millones de yuanes, y Changxin alcanza una capacidad de producción mensual de DDR5 de 350.000 unidades.

ChangXin Memory (CXMT) y Yangtze Memory (YMTC) planean invertir en conjunto 63 mil millones de yuanes en gasto de capital para ampliar la capacidad de sus líneas de producción; si el plan se completa a tiempo, a finales de 2026 la producción mensual de DRAM de CXMT se acercará a 350 mil obleas, quedando solo cerca de un 10% respecto a la proyección de 375 mil obleas de Micron para el mismo período.

La ruta DUV con múltiples exposiciones de ChangXin Memory

Según el informe, ante la imposibilidad de conseguir equipos de litografía EUV (ultravioleta extremo), la solución adoptada por ChangXin Memory es: cambiar a equipos DUV (ultravioleta profundo) de generación anterior, sumando la tecnología de múltiples exposiciones, es decir, exponer la misma oblea varias veces, intercambiando pasos adicionales del proceso por el nivel de detalle de circuitos que normalmente requeriría EUV. El costo es una mayor presión sobre el rendimiento (yield) y el costo de producción por oblea; pero la ventaja es que pueden enviar módulos de memoria DDR5 (8000 MT/s) y LPDDR5X, entrando de lleno en el mercado con mayor escasez para la demanda de servidores de IA.

Además, el hecho de que ChangXin Memory construya salas blancas en alrededor de 12 meses le otorga una ventaja de “timing” en un entorno donde los plazos de entrega de equipos globales se han extendido: cuando ChangXin Memory esté ajustando el yield en sus máquinas, su competencia podría seguir esperando los plazos de entrega de los equipos.

Localización de equipos de semiconductores en China y dispersión tecnológica

Según el informe, el impacto de esta ampliación en la configuración de la cadena de suministro incluye: la tasa actual de compras locales de equipos de semiconductores en China es de aproximadamente 23,2% (mientras que más del 70% aún depende de importaciones); pero la proyección de compras de ChangXin Memory para 2026 aportaría a los proveedores locales cerca de 10 mil millones de yuanes de nuevas actividades, creando un círculo virtuoso de “el mercado alimenta a los proveedores, y los proveedores elevan a su vez el yield” en un ciclo positivo, con la expectativa de que la proporción de dependencia de importaciones disminuya año tras año.

En cuanto a la dispersión tecnológica, el gobierno chino impulsa la transferencia del IP de la tecnología DRAM (patentes de proceso y secretos de fabricación) de ChangXin Memory a Fujian Jinhua, Shengwei Xuy y a la filial Xinxin de Yangtze Memory, con el objetivo de diluir el efecto de un solo golpe de las sanciones estadounidenses y, además, prepararse de antemano para futuros intentos de acceder a los mercados de la Unión Europea y Estados Unidos.

Preguntas frecuentes

¿Cómo produce ChangXin Memory DDR5 avanzado sin equipos EUV?

Según el informe, ChangXin Memory utiliza equipos DUV (ultravioleta profundo) junto con tecnología de múltiples exposiciones: expone repetidamente la misma oblea varias veces para aumentar los pasos del proceso a cambio de circuitos más finos; el costo es una mayor presión sobre el rendimiento y el costo por oblea, pero permite que ChangXin Memory produzca DDR5 (8000 MT/s) y módulos de memoria LPDDR5X, suministrando directamente al mercado de servidores de IA.

¿Cómo se compara la capacidad mensual de DRAM de ChangXin Memory a finales de 2026 con la de Micron?

Según analistas, si el plan de expansión de ChangXin Memory se completa según lo previsto, la capacidad mensual a finales de 2026 se acercará a 350 mil obleas; Micron estima para el mismo período una capacidad mensual de aproximadamente 375 mil obleas, con una diferencia de menos de un 10% (alrededor de 6,7%). En el caso de NAND de Yangtze Memory, la capacidad mensual estimada superaría las 170 mil obleas después de alcanzar la carga máxima. Las cifras concretas deben basarse en los informes financieros oficiales más recientes de cada empresa y en los últimos reportes de instituciones de investigación del sector.

¿Qué impacto tiene la ampliación de memoria en China sobre el mercado global de equipos de semiconductores?

Según la previsión de SEMI (Asociación Internacional de la Industria de Semiconductores), el mercado global de equipos de semiconductores crecerá de 116,6 mil millones de dólares en 2024 a 155,6 mil millones de dólares en 2027, expandiéndose el tamaño general del mercado; los planes de expansión de las empresas chinas también desempeñan un papel importante en este crecimiento, pero como los tres principales fabricantes globales de memoria (Samsung, SK Hynix y Micron) aumentan simultáneamente su gasto de capital, la competencia sigue intensificándose.